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[会议论文] 作者：施益和,袁佑荣,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
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[期刊论文] 作者：施益和,丁墨元,
来源：人工晶体 年份：1988
The effect of low-resistivity and semi-insulating single crystal substra-tes with different dopants on the characteristics of LPE-GaAs layers is.described in t...
[期刊论文] 作者：施益和,李韻仪,丁墨元,
来源：人工晶体 年份：1988
由于稀土离子的掺入,已开发了大量以可见到红外的锐发光线的高效发光晶体。因为固体中稀土离子的内壳层4f 跃迁产生出尖锐的窄带发光,其光子能量几乎不受基质材料和温度的影...
[期刊论文] 作者：丁墨元,施益和,王岩,李双喜,傅涛,
来源：电子学报 年份：2004
采用LPE-GaAs工艺成功地生长成供x波段Gunn器件所需的优质外延材料,其成品率大于80％。用此材料制成的器件成品率大于60％,并已应用在整机上。The successful epitaxial growth...
[期刊论文] 作者：丁墨元,施益和,傅涛,王岩,李双喜,
来源：半导体学报 年份：1982
由于GaAs材料有较高的电子迁移率和宽的禁带,因此用它制成霍尔器件有非常好的温度特性,如霍尔电压温度系数小和使用温度范围宽(-273-280℃)等.我们用改进后的工艺,生长出LEP...
[期刊论文] 作者：施益和,李韻仪,李双喜,丁墨元,周济,袁佑荣,
来源：电子学报 年份：1993
本文采用液相外延(LPE)法研究在GaAs中掺鼯土元素Er的外延生长,并对外延层的质量及光荧光等测量结果进行讨论。...
[期刊论文] 作者：姚秀琛,元民华,秦国刚,丁墨元,施益和,钱思敏,
来源：半导体学报 年份：1985
用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K范围内的等时退火行为...
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