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[期刊论文] 作者：钟战天,崔玉德,曹作萍,张广泽,孙学浩,张立宝,肖君,朱勤生,邢益荣,
来源：功能材料与器件学报 年份：1996
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大......
[期刊论文] 作者：钟战天,吴冰清,曹作萍,朱文珍,张广泽,王佑祥,陈新,张立宝,朱勤生,邢益荣,
来源：真空科学与技术 年份：1996
利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si......
[期刊论文] 作者：钟战天,吴冰清,曹作萍,张广泽,王佑祥,陈新,朱文珍,张立宝,肖君,朱勤生,邢益荣,
来源：功能材料与器件学报 年份：1995
利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分......
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