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[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：半导体技术 年份：1978
一、引言 扫描电子显微镜的电子束感生电流技术广泛地用于测量半导体的物理量。本文主要介绍利用这种电子束感生电流信息确定PN结的位置,测量平面器件PN结的结深,测量半导体...
[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：仪器仪表学报 年份：1982
俄歇电子谱仪广泛地利用来确定固体表面的化学和电子结构（40 A）。这篇文章详细地讨论了利用俄歇电子谱仪分析表面结构的方法。给出了俄歇表面结构分析的许多应用。1.俄歇效应,......
[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：半导体技术 年份：2004
本文系作者近年来对高频晶体管H_(FE)参数退化机理的研究报告。 实践证明采用扫描电子束感生电流技术和俄歇扫描显微镜来研究h_(FE)的退化机理是有效的。 通过观测和分析,...
[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：仪器仪表学报 年份：1983
扫描电子显微镜(SEM)广泛地利用于半导体表面局部电位的测定,电学功能试验和大规模集成电路失效分析。本项工作首先叙述电子束与集成电路的相互作用,二次放射机理和电压衬度...
[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：微电子学 年份：1979
一、引言 半导体器件的表面过程包括电化学过程和表面态的物理过程。研究这些过程对预计半导体器件的可靠性和进行器件的失效机理分析具有很重要的意义。近年来,在有关单位...
[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：半导体技术 年份：1979
在晶体管可靠性研究中,一般采用各种应力等级的加速寿命试验预计其失效速率。同时,人们也很注重现场应用中器件的失效分析。本文主要是讨论晶体管的热稳定性及其与非热稳定...
[期刊论文] 作者：曹普光,
来源：半导体技术 年份：1980
近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使人们加强对半导体材料的微缺陷研究.其研究的...
[期刊论文] 作者：曹普光,,
来源：电子显微学报 年份：1983
本文叙述了表面定量俄歇分析的一些方法:(1)多元素标样法,(2)纯元素标样法,(3)灵敏度因子法。给出了利用JAMP-10型俄歇电子谱仪进行定量分析(包括深度定量分析)的一些结果。...
[会议论文] 作者：任论海,胡红,曹普光,
来源：中国电子学会生产技术学会理论分析第四届年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：任沦海,胡懋红,曹普光,
来源：中国电子学会第四届理化分析经验交流会 年份：1990
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