搜索筛选:
搜索耗时0.0980秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：曹高奇,,
来源：中国科学院研究生院(上海技术物理研究所) 年份：2016
InxGa1-xAs是应用于短波红外波段探测的优良材料,在空间遥感领域有着重要的应用价值。本论文针对高灵敏度探测的应用需求,围绕平面型InxGa1-xAs探测器的关键工艺及相关物理机...
[期刊论文] 作者：曹高奇,唐恒敬,李淘,邵秀梅,李雪,龚海梅,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2015
为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型（TLM）,对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的退火条件下实现室温比接触电阻为3.84×1...
[期刊论文] 作者：李庆法,李雪,唐恒敬,邓双燕,曹高奇,邵秀梅,龚海梅,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
为了获得In_（0.83）Ga_（0.17）As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶...
[期刊论文] 作者：李庆法,李雪,唐恒敬,邓双燕,曹高奇,邵秀梅,龚海梅,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不合有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格...
[期刊论文] 作者：何玮,李平,邵秀梅,曹高奇,于一榛,张亚光,邓双燕,杨波,李,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10×10元延伸波长InGaAs探测器.不同温度...
[期刊论文] 作者：石铭,邵秀梅,唐恒敬,李淘,黄星,曹高奇,王瑞,李平,李雪,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
采用ICP刻蚀（inductively coupled plasma etching）工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体...
[期刊论文] 作者：何玮,李平,邵秀梅,曹高奇,于一榛,张亚光,邓双燕,杨波,李,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10×10元延伸波长InGaAs探测器.不同温度下的...
[期刊论文] 作者：石铭,邵秀梅,唐恒敬,李淘,黄星,曹高奇,王瑞,李平,李雪,龚海梅,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进...
相关搜索：
