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[期刊论文] 作者：武大猷,文林,汪朝敏,何承发,郭旗,李豫东,曾俊哲,汪波,刘,
来源：发光学报 年份：2016
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明：暗信号和暗信......
[期刊论文] 作者：刘元,文林,李豫东,何承发,郭旗,孙静,冯婕,曾俊哲,马林东,
来源：微电子学 年份：2018
空间高能质子作用于电荷耦合器件(CCD)产生的热像素是空间成像系统性能退化的主要原因之一.为深入认识质子辐射导致CCD产生热像素的规律和机制,对行间转移CCD进行了不同能量(...
[期刊论文] 作者：姜柯,陆妩,马武英,郭旗,何承发,王信,曾俊哲,刘默涵,,
来源：原子能科学技术 年份：2015
对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy（Si）/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质...
[期刊论文] 作者：武大猷,文林,汪朝敏,何承发,郭旗,李豫东,曾俊哲,汪波,刘元,,
来源：发光学报 年份：2016
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗...
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