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[期刊论文] 作者：朱广润,张凯,孔月婵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度、高击穿场强、高电子迁移率和高电子饱和速度等优良特性,不仅在微波大功率器件领域有广泛的应用,而且在超高频器件领域具备独特优势。...
[期刊论文] 作者：房柏彤,朱广润,张凯,郭怀新,陈堂胜,
来源：电子元件与材料 年份：2021
针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发展的重要意义,并分...
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