搜索筛选:
搜索耗时0.1025秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 47 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：李哲洋,,
来源： 年份：2012
SiC材料作为一种第三代半导体材料,因其具有禁带宽度大(3.2ev),耐击穿电场强(2.2×106V/cm),饱和电子迁移速度高(2.0×107cm/s),热导率高(4.9W/cmK)和化学稳定性好等优异的物...
[期刊论文] 作者：李哲洋,
来源：中国音乐 年份：1987
每当讨论各种乐器的时候,为了使讨论得有条不紊,首先要考虑如何把它们分门别类才最为合理。乐器分类法之重要即在此。这也是乐器学中的要务。现在把世界各种著名的乐器...
[期刊论文] 作者：李哲洋,
来源：中国音乐 年份：1991
在这个时期谈“音乐的起源说”,的确有点“脑新”(意即:“脑筋有问题”。)因为这是老掉牙的问题。不过,一般“音乐概念”、“音乐史”都从这个课题开始。由于“起源之说...
[学位论文] 作者：李哲洋,
来源：南京大学 年份：2012
SiC材料作为一种第三代半导体材料，因其具有禁带宽度大(3.2ev)，耐击穿电场强(2.2×106 V/cm)，饱和电子迁移速度高（2.0×107cm/s），热导率高(4.9W/cm K)和化学稳定性好等优异的物理化...
[期刊论文] 作者：陈刚,李哲洋,柏松,任春江,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的Si O2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管的理想...
[期刊论文] 作者：陈刚,李哲洋,柏松,任春江,
来源：半导体学报 年份：2007
采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B^＋离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管的理想...
[期刊论文] 作者：李赟,李哲洋,董逊,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外...
[会议论文] 作者：李赞,李哲洋,董逊,陈辰,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。......
[期刊论文] 作者：陈刚,陈雪兰,柏松,李哲洋,韩平,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通......
[期刊论文] 作者：陈刚,秦宇飞,柏松,李哲洋,韩平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延，外延温度1580℃，最后得到了低...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了S波段3.6mm栅宽4H-SiC MESFET功率管的材料设计，制作工艺和微波性能研究。采用半绝缘衬底的自主外延的SiC三层外延片，成功制作出单胞3.6mm栅宽的芯片，经过装架、压丝，...
Physical simulations and experimental results of 4H-SiC MESFETs on high purity semi-insulating subst
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,李哲洋,吴鹏,陈征,韩平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
In this paper we report on DC and RF simulations and experimental results of 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) on high purity semi-i...
[期刊论文] 作者：陈刚,李哲洋,陈征,冯忠,陈雪兰,柏松,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩...
[会议论文] 作者：李哲洋,李赟,董逊,柏松,陈刚,陈辰,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1％(最好值为0.09％)的外延厚度均匀性(σ/m),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均...
[期刊论文] 作者：李哲洋,董逊,张岚,陈刚,柏松,陈辰,
来源：半导体学报 年份：2008
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的（0001）Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三...
[期刊论文] 作者：李哲洋,董逊,张岚,陈刚,柏松,陈辰,,
来源：半导体学报 年份：2008
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,吴鹏,李哲洋,郑惟彬,钱峰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构，显示出优异的脉冲功率特性，20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W...
[期刊论文] 作者：李哲洋,董逊,柏松,陈刚,陈堂胜,陈辰,
来源：半导体学报 年份：2007
利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,李哲洋,张涛,汪浩,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导...
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET...
相关搜索：
