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本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。
水平热壁式CVD系统中生长源流量对外延速率及掺杂浓度的影响
【摘 要】
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本文使用水平热壁式化学气相沉积(hot-wall CVD)系统,固定C/Si,改变生长源流量,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率、掺杂浓度的影响以及不同生长速率下外延薄膜表面形貌。
【机 构】
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单片集成电路和模块国家级重点实验室,中国科技集团公司第五十五研究所,南京 210016
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2008年10期
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