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[学位论文] 作者：李建蒙,,
来源：内蒙古大学 年份：2010
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[期刊论文] 作者：赵杰,刘宝钧,李建蒙,
来源：半导体学报 年份：1995
本文研究了硼注入绝缘ＩｎＰ和Ｎ型ＩｎＰ的电性质．硼注入是在１００ｋｅＶ能量下，剂量从１×１０１２到１×１０１６ｃｍ－２范围内进行．注入后的退火在纯氮气的保护下由１００℃到７００℃范围变化．硼注入半绝缘ＩｎＰ的结果表明，硼注入诱导形成载流子分布......
[期刊论文] 作者：杨子锋,秦亚雯,李建,蒙祥,谢光勇,
来源：山东化工 年份：2020
本文以邻叔丁基苯酚为起始原料,经溴化、偶连和甲酰化三步反应制得联苯型双水杨醛化合物,再与2,6-二甲基苯胺发生席夫碱反应得到双水杨醛亚胺型席夫碱配体,探讨了合成条件对...
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