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[会议论文] 作者:李楠;王宁;冯德伸;,
来源:第十届全国青年材料科学技术研讨会 年份:2005
采用CZ法拉制晶向为Ge单晶,利用化学腐蚀和金相显微镜研究Ge单晶中位错密度、位错坑形态发展过程.对于磨砂型号、研磨时间、抛光时间、腐蚀时间的不同对位错形态及本底有影响...
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