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[学位论文] 作者：李若津,,
来源：河北工业大学 年份：2015
随着集成电路产业的不断发展,铜互连特征尺寸不断降低,布线层数不断增加,互连引线延迟(RC延迟)成为不可忽视的制约集成电路发展的一大障碍。因此铜、钽、低k介质等材料被引入...
[期刊论文] 作者：李若津,王胜利,栾晓东,刘桂林,张玉峰,
来源：微纳电子技术 年份：2014
研究了阻挡层在化学机械抛光过程中表面活性剂的作用.利用5种活性剂体积分数不同的抛光液对3英寸(1英寸=2.54 cm)Cu/Ta/SiO2光片进行抛光.通过抛光前后质量变化可得各晶圆片...
[期刊论文] 作者：刘桂林,刘玉岭,王辰伟,栾晓东,李若津,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
为实现图形片的全局平坦化,通过研究碱性阻挡层抛光液各成分对铜和介质(TEOS)去除速率的影响,遴选出一种碱性阻挡层抛光液。在此抛光液基础上添加不同质量分数的盐酸胍,对钽...
[期刊论文] 作者：张玉峰,王胜利,刘玉岭,段波,李若津,杜旭涛,,
来源：半导体技术 年份：2014
采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH值对TiO2薄...
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