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[期刊论文] 作者：杨增乾,
来源：青海教育 年份：2003
在课堂教学活动中，教师是活动的主导者，即起着点拨、释疑、解惑、引导的作用，是整个课堂教学活动的设计者和引导者；而学生是课堂活动的主体。因此，在课堂教学中，教师应注意创设问题......
[期刊论文] 作者：杨增乾,,
来源：青海教育 年份：2007
课堂教学是学校进行教育教学活动的主阵地，学校的教学任务主要通过课堂教学去完成，学生在校的生活时间有80％在课堂中度过，因此，课堂教学的质量直接关系到学生知识水平及综合素质的......
[期刊论文] 作者：操彬彬,叶成枝,安晖,马力,刘广东,吕艳明,彭俊林,杨增乾,,
来源：液晶与显示 年份：2019
基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最...
[期刊论文] 作者：操彬彬,刘幸一,陈鹏,彭俊林,杨增乾,安晖,汪弋,栗芳芳,陆,
来源：液晶与显示 年份：2020
研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学...
[期刊论文] 作者：查甫德,徐纯洁,李根范,张木,崔立加,冯耀耀,朱梅花,杨增乾,
来源：液晶与显示 年份：2020
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留。本文研究了光刻...
[期刊论文] 作者：安晖,操彬彬,栗芳芳,叶成枝,杨增乾,彭俊林,刘增利,吕艳明,
来源：液晶与显示 年份：2019
HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略...
[期刊论文] 作者：安晖,操彬彬,栗芳芳,叶成枝,杨增乾,彭俊林,刘增利,吕艳明,
来源：液晶与显示 年份：2019
HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺.为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,...
[期刊论文] 作者：操彬彬,叶成枝,安晖,马力,刘广东,吕艳明,彭俊林,杨增乾,栗芳,
来源：液晶与显示 年份：2019
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[期刊论文] 作者：吕艳明,操彬彬,栗芳芳,安晖,叶成枝,李法杰,杨增乾,彭俊林,
来源：液晶与显示 年份：2020
HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)...
[期刊论文] 作者：安晖,操彬彬,栗芳芳,叶成枝,杨增乾,彭俊林,刘增利,吕艳明,陆,
来源：液晶与显示 年份：2019
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[期刊论文] 作者：操彬彬,刘幸一,陈鹏,彭俊林,杨增乾,安晖,汪弋,栗芳芳,陆相晚,刘增利,李恒滨,,
来源：液晶与显示 年份：2020
研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura.由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学...
[期刊论文] 作者：叶成枝,操彬彬,吕艳明,马力,安晖,彭俊林,冯耀耀,杨增乾,栗芳芳,陆相晚,李恒滨,
来源：液晶与显示 年份：2022
研究了TFT基板中氮化硅膜层对TFT-LCD终端产品侧视角白画面色偏的影响,填补了TFT膜层与TFT-LCD侧视角白画面色偏的研究欠缺,为类似的光学色度不良改善提供了有益的参考.通过大量的实验测试和仿真模拟,探索了氧化硅膜层厚度对侧视角白画面色偏的影响规律.结果表......
[期刊论文] 作者：查甫德,徐纯洁,李根范,张木,崔立加,冯耀耀,朱梅花,杨增乾,刘增利,陈正伟,郑载润,,
来源：液晶与显示 年份：2020
为改善TFT特性,采用感应耦合等离子体(ICP)设备进行4-Mask光刻胶(PR)灰化工艺,光刻胶剥离后源/漏数据线边缘、TFT沟道和其他像素区出现了线性的a-Si膜层残留.本文研究了光刻...
[期刊论文] 作者：吕艳明,操彬彬,栗芳芳,安晖,叶成枝,李法杰,杨增乾,彭俊林,冯耀耀,刘增利,陆相晚,李恒滨,,
来源：液晶与显示 年份：2020
HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示.本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)...
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