搜索筛选:
搜索耗时0.0883秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者:谢廷贵,杨锦赐,
来源:厦门大学学报(自然科学版) 年份:1995
阐述了电容式聚酰亚胺薄膜湿度敏感器的结构和性能,分析讨论了它的感湿机理。并用一种指数函数方法对敏感器的非线性进行线性化处理。...
[期刊论文] 作者:杨锦赐,连世阳,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1992
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga1-xAlxAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г3v—X3c)附近的双声子共振特性...
[期刊论文] 作者:颜永美,杨锦赐,
来源:半导体技术 年份:1992
本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。...
[期刊论文] 作者:连世阳,杨锦赐,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1989
The resonant Raman scattering by TO1 and TO2 was studied near E0 gap of liquid-phase-epitaxy Ga0.39Al0.81As and Ga0.29Al0.71As samples. In order to tune the ene...
[期刊论文] 作者:连世阳,杨锦赐,廖远瑛,
来源:厦门大学学报:自然科学版 年份:1989
阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(...
[期刊论文] 作者:杨锦赐,王仁智,连世阳,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1989
为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于Ga_(1-x)A1_xAs的禁带宽度随组分x和温度的变化,测量了Ga_(1-x)A1_xAs晶体的一级和二级共振喇曼散射。用线性化丸盒轨道方法(LM...
[期刊论文] 作者:姜闽,杨锦赐,钱克港,林建南,
来源:职业医学 年份:1991
在乡镇企业中,小水泥生产蓬勃发展,但防护设施简陋,厂区车间布局不合理,生产性噪声严重危害作业工人的身体健康。为有利于开展乡镇企业生产性噪声的防治工作,我们于1989年11...
[期刊论文] 作者:连世阳,杨锦赐,陈张海,廖远琰,
来源:厦门大学学报(自然科学版) 年份:1993
用杂质振动喇曼散射和电子喇曼散射研究半导体中杂质,结果表明:杂质喇曼散射可以作为强有力的技术检测半导体的杂质和估计掺杂浓度,使用这种非破坏性的检测方法具有很好的空...
[期刊论文] 作者:杨锦赐,连世阳,张声豪,颜永美,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1992
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半...
相关搜索: