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[期刊论文] 作者：林成鲁,,
来源：理化检验.物理分册 年份：1979
本文综述原理、特征、功能不同的表面分析法,并互相作了比较,同时扼要介绍表面分析装置多机联用这一表面分析发展的新特点。In this paper, the principles, features and...
[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的SOI研发和产业化情况。...
[期刊论文] 作者：林成鲁,,
来源：集成电路应用 年份：2003
SOI是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是"二十一世纪的微电子技术"、"新一代硅"。本文...
[期刊论文] 作者：林成鲁,,
来源：功能材料信息 年份：2008
绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术;综述了绝缘体...
[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：上海半导体 年份：1992
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[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：上海半导体 年份：1992
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[会议论文] 作者：林成鲁,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文综述了SOI(Silicon-on-insulator)技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的...
[会议论文] 作者：林成鲁,
来源：2003中国集成电路产业发展战略研讨会暨中国半导体行业协会IC分会年会 年份：2003
本文综述了SOI(Silicon-on-insulator)技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的...
[会议论文] 作者：林成鲁,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
与体硅材料和器件比较，ＳＯＩ具有许多独特的优越性，例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩锁效应等。因而被称为２１世纪的微电子技术而引起人们越来越多的关注，ＳＯＩ技术正走向商业应用阶段。......
[期刊论文] 作者：林成鲁,,
来源：激光与红外 年份：2004
发展在绝缘衬底上得到电子学级硅薄膜的技术有很重要的技术意义。这种薄膜在介质隔离的集成电路、大面积平面显示电路和“高层”立体集成电路方面有着潜在的应用。到目前为...
[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：半导体技术 年份：1985
一、三维集成电路随着大规模集成电路集成度的提高,通常的二维集成电路逐渐受到微细加工精度的限制,研制新型的真正立体结构的三维集成电路,近几年来引起了国际上许多国家的...
[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：微电子学与计算机 年份：1987
本文对BF_2~+、AS~+注入的多晶硅膜进行了快速热退火研究。结果表明;离子注入多晶硅的快速热退火可以得到优于常规热退火的电学性能.选择快速热退火条件可以控制多晶硅中的杂...
[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：核技术 年份：1987
自1977年以来,为了摸索离子注入半导体的新退火方法,各国学者进行了大量的研究工作。这种努力是从激光退火的研究开始的。激光与半导体材料相互作用的研究,已派生出若干很有...
[期刊论文] 作者：林成鲁,
来源：自然杂志 年份：1980
薄膜,在现代科学技术中占据着重要地位,它是不少研究领域和技术领域所共同关心的课题.近十几年来,薄膜科学与现代固体物理的一个前沿——表面物理互相促进,薄膜技术的应用得...
[会议论文] 作者：林成鲁,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
SOI(silicon-on-insulator)被国际上公认为是“二十一世纪的硅集成电路技术”,本文综述了SOI技术新进展.SIMOX和Smart-cut SOI技术已走向商业化.在高温与辐射环境下工作的SOI...
[期刊论文] 作者：李金华,林成鲁,
来源：上海半导体 年份：1990
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[期刊论文] 作者：李金华,林成鲁,
来源：微细加工技术 年份：2001
对国内外几种SIMOX硅薄膜样品进行位错密度测量,再用紫外光致荧光法(UVF)对其在集成电路工艺流片前后的Fe、Cu、Ni、Mo等重离子沾污作对比测定,结合SIMOX/MOS管的漏电特性,作...
[期刊论文] 作者：林成鲁,李金华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
用薄膜ＳＬＭＯＸ、厚膜ＢＥＳＯＩ和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用＾６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验，在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素。......
[期刊论文] 作者：林成鲁,李金华,
来源：核技术 年份：1994
＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０~（１８）ｃｍ~（－２）４００ｋｅｖＮ＿２~＋或３５０ｋｅＶＮ~＋的注入到铝薄膜中或铝和硅的界面。用扩展电阻测试．背散射和沟道技术以及红外光谱分析研究氮化铝的形成和Ｃｕ杂质在铝薄膜中......
[期刊论文] 作者：李金华,林成鲁,
来源：光学学报 年份：1994
本文分析了ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ和ＤＷＢ／ＳＯＩ结构的性能特点．尝试用ＤＷＢ／ＳＯＩ材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品，并测试了１．１５μｍ和１．５２３μｍ激光的ＴＥ和ＴＭ模的传输损耗．１．５２３μｍ光的ＴＥ模的最小传输损耗已达０．２７ｄＢ／ｃｍ．说明ＤＷＢ／ＳＯＩ材料是一种有潜力的光波导材......
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