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[学位论文] 作者：林殷茵,
来源：西安交通大学 年份：1999
该文的研究拓展了溶胶-凝胶工艺在材料制备中的应用.该文针对气敏元件向薄膜化 、小型化、高灵敏度方向发展的趋势,采用新颖的非醇盐溶胶-凝胶工艺制备出纳米微晶二 氧化锡薄...
[期刊论文] 作者：刘秦,林殷茵,
来源：电子元件与材料 年份：1998
采用表面微细加工技术制作了铁电微型传感器和执行器。其技术特点是将铁电薄膜制备和加工工艺与半导体集成电路工艺相结合，其技术难点有：平面化、多晶硅的内和控制，悬空结构与基......
[期刊论文] 作者：杨合情,林殷茵,
来源：无机材料学报 年份：2000
以磷酸三乙酯、硝酸铝和正硅酸乙酯为原料，通过它们的水解制备了ｘＡｌ２Ｏ３·ｘＰ２Ｏ５·１００ＳｉＯ２（ｘ＝０．２５￣３０）凝胶，在６００℃对凝胶进行热处理，使其中的有机基团炭化，从而制备出了镶嵌有碳纳米颗粒的ｘＡｌ２Ｏ３·ｘＰ２Ｏ５·１００ＳｉＯ２凝胶......
[期刊论文] 作者：林殷茵,姚熹,
来源：无机材料学报 年份：2000
以无机盐为原料，采用新颖的溶胶－凝胶工艺制备了具有优良电阻－气敏性能的纳米晶二氧化锡薄膜，其在最佳工作温度２００℃对６００ｐｐｍＣＯ的灵敏度可达５００，响应时间和恢复时间分别为１３ｓ和２０ｓ，进一步研究了薄膜的光......
[期刊论文] 作者：刘佩,林殷茵,,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：2016
阻变存储器（RRAM）因其性能优异、可高密度集成以及与CMOS工艺兼容成本较低等众多优点而被广泛研究.用于制备阻变型存储器的关键材料有很多种,其中氧化钽材料由于与标准CMOS工艺...
[期刊论文] 作者：林殷茵,杨合情,
来源：压电与声光 年份：1998
采用非醇盐溶胶－凝胶工艺制得纳米微晶ＳｎＯ２多孔薄膜，该法易于实现ＳｎＯ２与多种添加剂的均匀掺杂。通过调整薄膜的微观结构使薄膜对Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＯ在最佳工作温度的灵敏度比调整前分别提高了３倍和１４倍。......
[期刊论文] 作者：林殷茵,刘秦,
来源：压电与声光 年份：1998
以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间......
[期刊论文] 作者：刘秦,林殷茵,
来源：半导体学报 年份：1999
采用磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）工艺获得了铁电ＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜的微细图形。研究了用ＣＨＦ３气体在不同射频功率和气体流量下ＰＺＴ薄膜，Ｐｔ和ＡＺ１４５０Ｊ光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律。原子力显微镜（ＡＦＭ）结果表明，获......
[期刊论文] 作者：林殷茵,刘秦,
来源：硅酸盐通报 年份：1999
采用非醇盐溶胶－凝胶工艺可获得Ｆｅ与Ｓｉ摩尔比达４．５／１的均匀凝胶，发现可以通过控制ＳｉＯ２的含量和热处理条件来控制相结构和晶粒尺寸，热处理过程中α－Ｆｅ相是由Ｆｅ３Ｏ４相还原而来，材料中有大量氧参与反应是工......
[期刊论文] 作者：钟琪,林殷茵,
来源：微电子学 年份：2000
传统铁电存储器制备工艺中，存在着Ｐｔ／Ｔｉ下电极刻蚀难、制作的铁电薄 貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进，降低了工艺复杂性，解决了上述问......
[期刊论文] 作者：刘秦,林殷茵,
来源：压电与声光 年份：1998
采用典型的半导体光刻工艺用ＢＨＦ／ＨＮＯ３溶液成功地刻蚀了ＰＺＴ（５２／４８０薄膜，研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明，在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异，晶粒小的薄......
[期刊论文] 作者：胡心仪,林殷茵,,
来源：半导体技术 年份：2015
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进...
[期刊论文] 作者：田晓鹏, 林殷茵,,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：2013
针对当前阻变存储器（RRAM）面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOx/AlON RRAM具有低至10μA的...
[期刊论文] 作者：颜雷,林殷茵,等,
来源：半导体学报 年份：2002
将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中，制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET，研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性，结果表明Zr...
[期刊论文] 作者：林殷茵,汤庭鳌,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性,制备了Au/Cr/PZT/ZrO2/Si的MFIS结构并...
[期刊论文] 作者：李萌,陈刚,林殷茵,,
来源：半导体技术 年份：2012
针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻。利用这...
[期刊论文] 作者：田晓鹏,林殷茵,
来源：第四届复旦大学博士生学术论坛——信息科学与技术 年份：2012
针对当前阻变存储器(RRAM)面临的功耗和高密度存储的问题,介绍了一种降低功耗和形成多值存储能力的器件结构.相比单层结构的AlON RRAM,双层结构的WOx/AlON RRAM具有低至10 μ...
[期刊论文] 作者：马亚楠,陈刚,林殷茵,,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：2012
设计了一种具有新型曲率补偿的电流模式的带隙基准电压源电路，通过在高温时产生一路正温度系数的电流注入到输出端来补偿‰的高阶负温度系数项实现曲率补偿，从而得到更低温度系......
[期刊论文] 作者：陈刚,解玉凤,林殷茵,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器，采用0．13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现，芯片面积为37μm×41μm。该温度传感器在-20～60。C的温度范围...
[期刊论文] 作者：孟超,严冰,林殷茵,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2011
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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