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[学位论文] 作者：查祎英,,
来源： 年份：2012
在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以功率半导体器件为基础的现代电力电子技术在电力、输运、交通、照明、工业制造和医疗设备等领域发挥着极其重要的作用。在......
[期刊论文] 作者：查祎英,吴郁,杨霏,,
来源：微纳电子技术 年份：2013
针对高压快恢复二极管的动态雪崩问题进行了仿真分析,给出了典型的二极管动态雪崩瞬态图形,提出了一种改善器件动态雪崩耐量的新型扩展区结构,并进行了仿真验证。从有源区和...
[期刊论文] 作者：高一星,查祎英,胡冬青,,
来源：电力电子 年份：2010
本文介绍了一种新研发的10kV集成栅控晶闸管（IGCT）芯片,其耐压和电流容量是目前市场上可用IGCT中最大的。这种器件在GCT晶片设计上做了改进,使其电流容量超过3200A。另外,为了...
[期刊论文] 作者：查祎英,田亮,杨霏,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
设计了一种用于3.3 kV4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构。该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限...
[期刊论文] 作者：李兴鲁,查祎英,胡冬青,,
来源：电源世界 年份：2011
最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关，1200V、13mΩ、增强型SiCJFET半桥模块。这些模块由36mm^2 SiC VJFET和23mm^2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A条...
[期刊论文] 作者：查祎英,高一星,胡冬青（译）,
来源：电力电子 年份：2010
新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了...
[期刊论文] 作者：查祎英,吴郁,李兴鲁,高一星,,
来源：电力电子技术 年份：2012
综述了硅高压功率快恢复二极管抗动态雪崩技术的发展,包括快恢复二极管发生3种不同程度的动态雪崩的过程和原理,提高了快恢复二极管动态雪崩抗性的技术,完善其原理,并对其优...
[期刊论文] 作者：李兴鲁,吴郁,查祎英,高一星,,
来源：电力电子 年份：2012
本文综述了高压IGBT的动态雪崩问题,涉及IGBT动态雪崩的概念、复杂性、失效机理和应对措施等。对这些问题的了解和掌握,对于设计制造坚固性强的高压IGBT是至关重要的。...
[期刊论文] 作者：Robin Schrader,Vlad Bondarenko,David C.Sheridan,查祎英,胡冬青,,
来源：电力电子 年份：2011
最近的模块研发工作已经生产出封装在SP1模组中的快速开关、1200V、13mΩ、增强型SiC JFET半桥模块。这些模块由36mm~2SiC VJFET和23mm~2肖特基管的并联组合而成。在ID=100A...
[期刊论文] 作者：显示全部作者" class="showAll">,查祎英,李兴鲁,
来源：电力电子 年份：2011
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[期刊论文] 作者：查祎英,夏经华,桑玲,杨霏,王耀华,
来源：微纳电子技术 年份：2020
为了明确10 kV碳化硅(SiC) pin二极管的正向导通优势,降低器件的比导通电阻,制备了三种10 kV SiC二极管样品——肖特基结、pn结和电导增强的pn结二极管.通过在多层SiC外延层...
[期刊论文] 作者：夏经华,查祎英,桑玲,杨霏,吴军民,
来源：微纳电子技术 年份：2020
使用p+ n-n+外延结构制备了10 kV 4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺...
[期刊论文] 作者：吴昊,黄云辉,李玲,查祎英,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
SiC MOSFET作为新一代SiC电力电子器件中重要的代表,具有开关电流小、频率高等优点,正受到产业界瞩目和重视。低的源漏接触电阻是衡量SiC MOSFET器件性能的重要参数之一,选择...
[期刊论文] 作者：-A.Kutschak,D.Zipprick H.Kapels,A.Ludsteck-Pechloff,查祎英,高一星,胡冬青,,
来源：电力电子 年份：2010
新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的R_(dson)、容性损耗低、同时...
[期刊论文] 作者：张惠惠,胡冬青,周新田,周东海,穆辛,查祎英,,
来源：智能电网 年份：2013
针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了...
[期刊论文] 作者：潘艳,田亮,张璧君,郑柳,查祎英,吴昊,李永平,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
阐述了3 300 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)详细的设计和制备过程。4H-SiC N型外延层掺杂浓度为3.1×10~(15) cm~(-3),厚度为33μm。器件的终端采用了单区结终端扩展(JTE)...
[期刊论文] 作者：夏经华,桑玲,查祎英,杨霏,吴军民,王世海,万彩萍,许恒宇,
来源：微纳电子技术 年份：2020
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料Al...
[期刊论文] 作者：夏经华,桑玲,杨香,郑柳,查祎英,田亮,田丽欣,张文婷,杨霏,吴军民,
来源：微纳电子技术 年份：2020
综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面.重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形...
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