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[学位论文] 作者：柯伟青,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2010
随着集成电路的快速发展,Flash存储器的特征尺寸不断缩小,为了保持集成电路的性能,相应的栅氧化层厚度也不断减小。当氧化层厚度进入nm量级时,电子的隧道穿透效应逐渐显现出...
[期刊论文] 作者：季振国,黄东,席俊华,柯伟青,周荣富,
来源：材料科学与工程学报 年份：2009
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的AlZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明，该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好，并且沿ZnO...
[期刊论文] 作者：季振国,张春萍,冯丹丹,柯伟青,毛启楠,
来源：材料科学与工程学报 年份：2010
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜...
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