搜索筛选:
搜索耗时2.3769秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 8 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：栾洪发,肖治刚,柯俊,
来源：物理学报 年份：1994
利用直拉硅单晶中氧化物沉淀的生长，选择两步热处理制度，验证了Ｈａｍ有关扩散控制沉淀生长理论。并尝试应用Ｈａｍ理论对氧化物沉淀的形核进行处理。Using the growth of oxide precipit......
[期刊论文] 作者：栾洪发,肖治纲,柯俊,
来源：半导体学报 年份：1993
本文利用TEM研究了850℃热处理直拉硅单晶中的氧化物沉淀行为。通过不同预处理样品的对比,得出点状沉淀是片状沉淀前身的结论。In this paper, TEM was used to study the...
[期刊论文] 作者：王红卫,杨景铭,栾洪发,钱佩信,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文借助于计算机模拟，定性分析了热传导对于形成反射条结构激光再结晶过程中温度双峰分布的重要作用。结果表明，影响再结晶质量的激光功率、高反区条宽以及反射率差等因素是通......
[期刊论文] 作者：栾洪发,梁骏吾,邓礼生,郑红军,黄大定,
来源：半导体学报 年份：1988
DLTS测量发现,在原生掺氮区熔硅单晶中,除E_c-0.20eV、E_c-0.28eV与氮相关外,E_c-0.57eV能级也与氮相关.此三能级在低于400℃、经0.5 小时退火均消失,同时测得三个与氮相关的...
[期刊论文] 作者：何杰,刘仲春,栾洪发,刘理天,钱佩信,
来源：真空科学与技术 年份：1996
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射线衍射（XRD）分析样品的组分及晶相。发现高温退......
[期刊论文] 作者：刘安生,安生,邵贝羚,王敬,付军,栾洪发,钱佩信,
来源：电子显微学报 年份：1997
采用横断面的透射电子显微术，扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区......
[期刊论文] 作者：栾洪发,张果虎,李兵,陈学清,秦福,钱佩信,
来源：半导体学报 年份：1995
本文研究了快速热处理退除热施主态的工艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题。结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同。４５０℃、１小时处理没......
[期刊论文] 作者：刘安生,安生,邵贝羚,王敬,沈惠珠,付军,栾洪发,钱佩信,
来源：RARE METALS 年份：1996
ＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｆＭｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒＦｉｌｍｏｎＳｉＳｕｂｓｔｒａｔｅＬｉｕＡｎｓｈｅｎｇ；ＡｎＳｈｅｎｇ；ＳｈａｏＢｅｉｌｉｎｇ；ＷａｎｇＪｉｎｇ；ＳｈｅｎＨｕｉｚｈｕ（刘安生）（安生）（邵贝羚）（王敬）（沈惠珠）（ＧｅｎｅｒａｌＲｅｓ.........
相关搜索：
