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[学位论文] 作者：樊中朝,
来源：北方交通大学 北京交通大学 年份：2001
根据有机电致发光的特点,主要进行了以下几方面的工作作. (一)研究了PVK的电致吸收光谱,对PVK的能级结构有了进一步的认识,并且比较了经过热处理和未经热处理的PVK薄膜的电致...
[期刊论文] 作者：刘宏利,樊中朝,等,
来源：光散射学报 年份：2000
由光纤中光的基本传输方程出发，利用慢变振幅近似，给出了包含反斯托克斯波的光纤超快受激拉曼散射的耦合波方程，以此为基础讨论连续、超快受激拉曼散射中泵浦波、斯托克斯和反斯......
[期刊论文] 作者：韩伟华,樊中朝,杨富华,,
来源：物理 年份：2006
纳米光电子器件正在成为下一代光电子器件的核心。文章介绍了电子束光刻和电感耦合等离子体刻蚀为代表的徽纳加工技术在光电子学器件中的应用。主要包括量子点激光器、量子点...
[期刊论文] 作者：樊中朝,余金中,陈少武,
来源：微细加工技术 年份：2003
简单介绍了ICP(inductivelycoupledplasma)刻蚀设备的结构和刻蚀机理,报道了ICP刻蚀硅、二氧化硅和Ⅲ-Ⅴ族材料的一些最新进展,重点介绍ICP刻蚀技术在光电子器件制作方面的进...
[期刊论文] 作者：刘宏利,樊中朝,杨少辰,
来源：光散射学报 年份：2000
由光纤中光的基本传输方程出发,利用慢变振幅近似,给出了包含反斯托克斯波的光纤超快受激拉曼散射的耦合波方程.以此为基础讨论连续、超快受激拉曼散射中泵浦波、斯托克斯和...
[期刊论文] 作者：陈媛媛, 夏金松, 樊中朝, 余金中,,
来源：半导体学报 年份：2004
提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量 .通过 Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析 .用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比...
[期刊论文] 作者：贾利芳,樊中朝,颜伟,杨富华,,
来源：微纳电子技术 年份：2012
作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基HFET功率器件具耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,在电力电子器件方面也具有卓越的优势。概述了基于电力电子方面应用的AlGaN/GaN HFET...
[期刊论文] 作者：陈媛媛,余金中,陈少武,樊中朝,
来源：红外与毫米波学报 年份：2005
采用有效折射率方法EIM (EffectiveIndexMethod)和二维束传播算法 (2D BPM)对SOI(Silicon on insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏...
[期刊论文] 作者：陈媛媛,余金中,陈少武,樊中朝,
来源：红外与毫米波学报 年份：2005
采用有效折射率方法EIM(Effective Index Method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(Silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的改善方法进行了模拟分析.模拟发现,在波导连接处引入偏移量和在波导外侧刻槽等两种不同方法都能有效减小弯曲损耗,并且后者的效果更明显.同时......
[期刊论文] 作者：王章涛,樊中朝,陈少武,余金中,
来源：光子学报 年份：2004
设计和制作了基于SOI的通道转换型多模干涉耦合器.用二维BPM方法分析了耦合器的性能与多模波导宽度和长度的依赖关系.制作出的耦合器能实现良好的通道转换,器件的功率转换比...
[会议论文] 作者：侯延冰,樊中朝,苏艳梅,陈晓红,
来源：第二届全国有机分子及聚合物发光与激光学术会议 年份：2000
...
[期刊论文] 作者：李敬,黄永箴,肖金龙,杜云,樊中朝,,
来源：光电子.激光 年份：2009
利用普通光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了红光GaInP/AlGaInP正方形微腔激光器,光功率电流曲线表明,器件实现了200 K的低温激射。对边长为10μm、输出波导长为30μ...
[期刊论文] 作者：靳辉,侯延冰,樊中朝,衣立新,苏艳梅,
来源：光电子·激光 年份：2001
对 PVK在电场调制下的光致发光现象进行了研究。发现在高场下光致发光强度会减弱 ,且存在一个阈值 ;在阈值以下发光强度随电压增加缓慢减弱 ,在域值以上则出现发光强度迅速减...
[会议论文] 作者：胡永红,黄永箴,陈沁,杜云,樊中朝,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
采用普通光刻和感应耦合等离子刻蚀(ICP)技术制备了带输出波导InGaAsP/InP等边三角形微腔激光器.在低温连续电注入下测试了其光谱,一边长为25 μ m的器件在100k温度,注入电流...
[期刊论文] 作者：马小涛,郑婉华,任刚,樊中朝,陈良惠,,
来源：物理学报 年份：2007
为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析...
[期刊论文] 作者：王章涛,樊中朝,夏金松,陈少武,余金中,
来源：半导体学报 年份：2004
设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI4×4热光开关阵列，阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB，阵列的串扰为-12～-19．8dB，光开关阵...
[期刊论文] 作者：王章涛,樊中朝,夏金松,陈少武,余金中,
来源：半导体学报 年份：2004
设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器．通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度，使制作出的调制器有良好的综合性能．调制器调制深度为91％，功耗为0．35W，调制速度约为27μs．减小......
[期刊论文] 作者：杨笛,余金中,陈少武,樊中朝,李运涛,
来源：中国化学工程学报（英文版） 年份：2004
An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)2S2O8, was achieved in t...
[期刊论文] 作者：王章涛,樊中朝,夏金松,陈少武,余金中,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：杨笛,余金中,陈少武,樊中朝,李运涛,
来源：Chinese Journal of Chemical Engineering 年份：2005
An optimal concentration of the etching solution for deep etching of silicon, including 3% tetramethyl ammonium hydroxide and 0.3% (NH4)2S2O8, was achieved in t...
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