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[期刊论文] 作者：温梦全,
来源：北京航空航天大学学报 年份：2001
研究SOI-SIMOX（Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×1018/cm2)氧离子注入到P型（100）单晶Si衬底，再经高温...
[会议论文] 作者：温梦全,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：温梦全,周彬,
来源：北京航空航天大学学报 年份：1996
氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型，ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类......
[期刊论文] 作者：温梦全,周彬,
来源：微电子学 年份：1996
采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎｏｆＯｘｙｇｅｎ）样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明，该样品表层硅膜的导电类型由ｐ型反型为ｎ型。ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近......
[期刊论文] 作者：温梦全,卢殿通,林敬与,唐荣奇,
来源：北京航空航天大学学报 年份：1994
用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯｎＩｎｓｕ ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的......
[期刊论文] 作者：王贻华,温梦全,王征祥,姜骥凤,
来源：航空学报 年份：1985
本文对ZQSn10-2-3锡青铜表面状态为镀银和未镀银的两种样品,分别采用N_2~+离子注入及(Ag+N_2~+)离子束混合技术,进行表面改性,提高其耐磨性。并且用背散射装置、离子探针和扫...
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