SOI／SIMOX—CMOS器件的研究

来源 :北京航空航天大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dengsanhua

【摘要】

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研究SOI-SIMOX（Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×1018/cm2)氧离子注入到P型（100）单晶Si衬底，再经高温

【作者】

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温梦全

【机构】

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北京航空航天大学理学院

【出处】

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北京航空航天大学学报

【发表日期】

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2001年1期

【关键词】

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半导体材料半导体器件与非门电路 SOI-SIMOX材料 SIMOX-CMOS器件 semiconductor materials semiconducto

【基金项目】

：

北京航空航天大学校科研和教改项目

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研究SOI-SIMOX（Silicon On Insulation-Separation by Implanted Oxygen)材料及SIMOX-CMOS器件.高能大剂量(170keV,1.5×1018/cm2)氧离子注入到P型（100）单晶Si衬底，再经高温长时间（1300℃,6h）退火，形成SIMOX结构材料.经测试，SIMOX表层单晶硅膜反型为N型，研究表明，这是由于在制备SIMOX的工艺中，残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致，并计算出氧杂质在硅中的施主电离能,其值为0.1

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