搜索筛选:
搜索耗时0.1031秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：潘少俊,,
来源：暨南大学 年份：2014
当集成电路的特征尺寸发展到90nm时，MOS器件的栅介质层厚度将至2nm以下，仅相当于几个原子的厚度。在电源电压与栅介质层厚度不再等比例减小的情况下，栅介质层内的电场强度不断增......
[期刊论文] 作者：王国强, 王小峰, 蒲颜, 刘成鹏, 潘少俊,,
来源：微电子学 年份：2004
采用InGaP HBT工艺,结合达林顿放大器技术,制作了一种高线性度宽带射频放大器。与传统结构相比,该射频放大器具有高线性度、宽带宽的优点。在10 MHz~1GHz的频率范围内,该放大...
[期刊论文] 作者：汪倩,邓婉玲,黄君凯,潘少俊,饶远,,
来源：微电子学 年份：2014
针对智能手机功能集成度与功耗的矛盾,提出了一种适用于射频和基带的微型电源管理IC新架构,并基于MOS器件的亚阈值特性,详细地给出其中具有低功耗零温漂的电流基准及电压基准...
相关搜索：
