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[期刊论文] 作者：王廷鉴,
来源：半导体技术 年份：2004
一、引言 众所周知,热氧化SiO_2中的Na~+是造成Si平面器件尤其是MOS器件性能不稳定的主要原因。如果在干氧氧化时,在氧化气氛中掺入适量的氯,就能够有效地消除Na~+,从而大大...
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