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[会议论文] 作者：王立冉,,
来源： 年份：2016
近期,我们学校组织了长城的研学,学校为我们提供了大量的有关长城书籍,请来了长城研究专家董耀会为我们讲座和面对面答疑解惑。在今年暑假我们在老师和辅导员的带领下,有...
[期刊论文] 作者：王立冉,邢哲,刘玉岭,胡轶,刘效岩,,
来源：半导体技术 年份：2012
以p型硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以...
[期刊论文] 作者：胡轶,刘玉岭,刘效岩,王立冉,何彦刚,
来源：功能材料 年份：2011
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数（低k）材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光（CMP）,考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数......
[期刊论文] 作者：胡轶,刘玉岭,刘效岩,王立冉,何彦刚,,
来源：半导体学报 年份：2011
The composition of the polishing solution is optimized by investigating the impact of the WIWNU (the so-called within-wafer-non-uniformity WIWNU) and the remova...
[期刊论文] 作者：唐心亮,智兆华,刘玉岭,胡轶,刘效岩,王立冉,,
来源：河北科技大学学报 年份：2011
研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析，采用40nm粒径的硅溶胶作为磨料，H2O2作为氧化剂，还包含螯合剂和FA／O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件（包括压力、流量、转速、......
[期刊论文] 作者：胡轶,刘玉岭,刘效岩,何彦刚,王立冉,张保国,,
来源：半导体学报 年份：2011
For process integration considerations,we will investigate the impact of chemical mechanical polishing (CMP) on the electrical characteristics of the pattern Cu...
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