搜索筛选:
搜索耗时2.7391秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 316 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：申德振,,
来源： 年份：2004
半导体量子点由于三维量子限域效应导致其类原子分立能级结构的存在,可望得到性能优异的新型光电器件。如以量子点作为激活层的激光器与量子阱激光器相比有更低的阈值电...
[会议论文] 作者：申德振,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
氧化锌(ZnO)因其具有大的禁带宽度、很高的激子结合能、丰富的纳米结构、易于大面积成膜等特点，在蓝紫色发光二极管、低阈值激光器件、透明导电薄膜、薄膜晶体管等多方面...
[会议论文] 作者：申德振,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
ZnO 基材料具有大的激子束缚能(约60 meV)和优异的光电特性,因此被认为是实现高效紫外发光和低阈值紫外激光的理想材料.同时,ZnO 基材料还具有超强的抗辐射性能以及高的...
[会议论文] 作者：申德振,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
...
[会议论文] 作者：申德振,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
...
[会议论文] 作者：申德振,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
氧化锌是宽禁带直接带隙半导体.其高达60meV的激子结合能,使其成为制造高效率短波长发光和激光器件的理想材料.历经十余年的发展,ZnO基半导体的研究在薄膜生长,杂质调控,器件...
[期刊论文] 作者：栗红玉,申德振,
来源：光电子．激光 年份：1996
用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。...
[期刊论文] 作者：羊亿,申德振,
来源：功能材料 年份：2000
运用湿化学与表面化学方法制备了ＺｎＳ／ＨｇＳ／ＺｎＳ／Ｃｄｓ量子点量子阱（ＱＤＱＷ）结构，以吸收光谱、光致发光及激光谱表征该结构，并研究了外层ＣｄＳ对材料发光特性的影响，首次观测到ＣｄＳ对中间ＨｇＳ阱层发光的增强作用，并归因子隧......
[期刊论文] 作者：羊亿,申德振,
来源：发光学报 年份：1999
近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格的受激发射也有过报导［４］．但对于电场调制下的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ基......
[期刊论文] 作者：羊亿,申德振,
来源：发光学报 年份：1999
提出结合Ｃｄ（ＯＨ）２选择性包覆与光分解腐蚀法缩小ＣｄＳ纳米微粒的 政论发布，并通过对ＣｄＳ纳米微粒发射光谱的研究产了这一设计思想，以多聚磷酸钠（ＨＭＰ）为稳定剂合成ＣｄＳ纳米微粒，再通过Ｃｄ＾２＋与ＨＯ＾－的选择民覆在大粒径......
[期刊论文] 作者：羊亿,申德振,
来源：发光学报 年份：1999
利用微乳液法合成ＣｄＳ纳米微粒，并对其进行表面修饰，得到具有ＣｄＳ／ＺｎＳ包覆结构的纳米微粒，以及收光谱与透射电镜表征其粒度与包覆结构，得到ＣｄＳ内核的直径为５ｎｍ，ＣｄＳ／ＺｎＳ包覆结构总粒径为８～１０ｎｍ，吸收阈值及发射峰的蓝......
[期刊论文] 作者：栗红玉,申德振,
来源：发光学报 年份：1996
ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）近年来，半导体超晶格......
[期刊论文] 作者：栗红玉,申德振,
来源：半导体学报 年份：1998
本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量......
[期刊论文] 作者：于贵,申德振,
来源：发光学报 年份：1999
报导了８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）在紫外光照射下发生荧光猝灭的机制，测量了Ａｌｑ３在光照射前后的紫外－可见吸收光谱、荧光光谱、红外吸收光电子能谱（ＸＰＳ），分析了紫外光照射后Ａｌｑ３分子结构变化，证明了产生结构变......
[期刊论文] 作者：张立功,申德振,
来源：发光学报 年份：2000
用飞砂泵浦－测量子ＺｎＣｄＳｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ叠层厚度为１５ｎｍ，泵浦－探测结果得到上升沿时间为３６７±６０ｆｓ，下降沿时间为１．３±０．２ｐｓ。获得ＺｎＣｄＳｅ量子阱中激子寿命约为１ｐｓ。......
[会议论文] 作者：栗红玉,申德振,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
...
[会议论文] 作者：申德振;宣丽;,
来源：全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 年份：1985
为了提高粉末直流电致发光屏的性能，并从中找出规律性的东西，该论文对复合屏的制做工艺及在直流电压激发条件下的发光特性做了初步的探索和研究，获得一些初步结果。研究是在第一......
[期刊论文] 作者：杨宝均,申德振,
来源：光电子．激光 年份：1999
用光助，低压ＭＯＣＶＤ方法获得ｐ－ＺｎＳｅ，ｐ－ＺｎＳＳｅ受主浓度为３×１０＾１６ｃｍ＾－３和８×１０＾１６－２×１０＾１７ｃ＾－３的条件下，生长制备ｎ－ＺｎＳＳｅｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ／ｐ－ＺｎＳｅ ｐ－ＺｎＳＳＥ的ＺｎＳｅ ＬＤ结构２，在经解理约为１ｍｍ腔长样品上，在７７Ｋ，观测到其蓝绿发光峰半高宽随脉冲电压增加出现窄化现象，表明有激射产......
[期刊论文] 作者：张吉英,申德振,
来源：光电子．激光 年份：1999
宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料，铍的硫属化物如ＢｅＴｅ，ＢｅＳｅ和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ有好的晶格匹配。因此认为ＺｎＳｅ基半导体材料中加入Ｂｅ对ＺｎＳｅ蓝绿激光二极管寿命......
[期刊论文] 作者：张吉英,申德振,
来源：光电子．激光 年份：1998
用光助低压ＭＯＣＶＤ进行ＺｎＳｅ及ＺｎＳｅ：Ｎ外延层生长，由发光光谱表明，在光助下生长的本征ＺｎＳｅ外延膜具有高质量：ＺｎＳｅ：Ｎ外延层中与Ｎ有关的深中心发射得到有效抑止，其ｐ－ＺｎＳｅ受主载流子深度达３×１０＾１７ｃｍ＾－３。在制备ｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅＱＷ／ｐ－ＺｎＳｅ结构中，在室温下观......
相关搜索：
