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用光助，低压ＭＯＣＶＤ方法获得ｐ－ＺｎＳｅ，ｐ－ＺｎＳＳｅ受主浓度为３×１０＾１６ｃｍ＾－３和８×１０＾１６－２×１０＾１７ｃ＾－３的条件下，生长制备ｎ－ＺｎＳＳｅｎ－ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ／ｐ－ＺｎＳｅ ｐ－ＺｎＳＳＥ的ＺｎＳｅ ＬＤ结构２，在经解理约为１ｍｍ腔长样品上，在７７Ｋ，观测到其蓝绿发光峰半高宽随脉冲电压增加出现窄化现象，表明有激射产生。