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[会议论文] 作者：白宣羽, 汪渊, 徐可为,,
来源： 年份：2004
随着集成电路的集成度越来越高,设备尺寸变得越来越小,Cu或Cu合金取代Al及其合金成为互连导线的主选材料已成为集成电路技术发展的趋势,Cu优良的电性能和抗应力迁移性使...
[期刊论文] 作者：白宣羽,汪渊,徐可为,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2005
采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta,YaN的...
[期刊论文] 作者：汪渊,白宣羽,徐可为,
来源：物理学报 年份：2004
提出了一种基于小波变换描述薄膜表面形貌的方法 .运用离散小波变换法研究磁控溅射Cu W薄膜表面特征随溅射时间的演变 .结果表明 ,Cu W薄膜在溅射时间超过 6 0 0s时才达到稳...
[期刊论文] 作者：汪渊,白宣羽,徐可为,范多旺,
来源：中国真空学会薄膜技术学术研讨会 年份：2003
本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的变化.Cu-W薄膜在溅射时间超过600s时才达到稳定.......
[期刊论文] 作者：白宣羽,汪渊,徐可为,范多旺,
来源：中国真空学会薄膜技术学术研讨会 年份：2003
本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了目前...
[会议论文] 作者：白宣羽,汪渊,徐可为,范多旺,
来源：中国真空学会薄膜技术学术研讨会 年份：2003
Cu的扩散主要是通过晶界扩散,因而非晶扩散阻挡层逐渐成为人们研究的热点.由于TiN有低的接触电阻,相应推测ZrN也有很低的接触电阻.为此本文采用磁控溅射方法在Si(111)基片上...
[会议论文] 作者：白宣羽[1],汪渊[1],徐可为[1],范多旺[2],
来源：TFC'2005全国薄膜技术学术研讨会 年份：2005
本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺点.总结了扩散阻挡层材料的研究状况,指出了...
[会议论文] 作者：汪渊[1],白宣羽[2],徐可为[2],范多旺[3],
来源：TFC'2005全国薄膜技术学术研讨会 年份：2005
本文运用离散小波变换(DWT)法研究磁控溅射铜钨薄膜表面特征随溅射时间的演变.提出了一种基于小波变换表征生长薄膜表面形貌的方法.结果表明,高频部分引起薄膜表面形貌的...
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