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[期刊论文] 作者：盖锡民,王震宇,,
来源：宜春学院学报 年份：2014
制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS...
[期刊论文] 作者：盖锡民,陈伯洋,,
来源：南阳理工学院学报 年份：2013
不同的工艺条件会对薄膜的生长产生影响.使用等离子体增强化学气相淀积方法,对PECVD生长氮化硅钝化膜的工艺条件进行了实验研究,阐述了几种工艺参数对钝化膜生长的影响,获得...
[期刊论文] 作者：石广源,盖锡民,王新,孙永斌,,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：2009
VUMOSFET是一种新型功率器件，它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容，而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素，本文剖析了VUMOSFET主要寄...
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