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[期刊论文] 作者：秘俊杰,,
来源：数字通信 年份：2011
多天线技术在TD-LTE系统中得到了充分的应用,分析了TD-LTE系统中多种多天线技术的传输模式及应用场景,提出了传输模式自适应策略,讨论了试验网测试中遇到的一些问题。实践证...
[期刊论文] 作者：解伟,秘俊杰,,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2016
基于FDD-LTE网络的地空覆盖实验,并完成了试飞相关工作,通过对飞机航路进行地对空无线网络覆盖。对FDD-LTE地空系统的技术特点进行分析,给出了FDD-LTE地空通信方案。从工程实...
[会议论文] 作者：秘俊杰,刘旸,
来源：2014LTE网络创新研讨会 年份：2014
分析了高速移动对TD-LTE系统的影响,并与TD-SCDMA覆盖做了对比.针对高速场景的特点,从基站选址、小区设置、天线选择、频率设置、参数设置、位置区设置等几个方面提出了TD-LT...
[期刊论文] 作者：赵洪锋, 王超, 秘俊杰,,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2017
本文分析了大气波导干扰的原因及规律，研究了对TD-LTE系统带来的影响，探讨了通过现网优化以降低大气波导干扰的方法，提出了规划建设方案，进而从根本上解决大气波导带来的影响。......
[期刊论文] 作者：张力伟,梁纪兴,秘俊杰,,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2017
大气波导现象对于目前我国采用的TD-LTE无线通信系统会造成远距离同频干扰，导致网络质量的下降，因此大气波导干扰问题逐渐成为移动通信中急需解决的一个热点。本文从大气波导原......
[会议论文] 作者：秘俊杰,刘旸,艾秀青,
来源：2013 LTE网络创新研讨会 年份：2013
TD-LTE支持多种MIMIO模式，可以有效地提升系统性能。首先介绍了TD-LTE MIMO技术特点，然后分析了试验网中MIMO测试情况，最后给出了TD-LTE MIMO技术的应用建议。...
[期刊论文] 作者：艾秀青,郭建光,秘俊杰,
来源：2013 LTE网络创新研讨会 年份：2013
目前国内TD-LTE实验网主要在2G频段建设,即F频段和D频段,但这两个频段均不能很好的满足TD-LTE未来建设发展需求.分析了目前的TD-LTE发展现状和世界范围内开展LTE建设的经验,...
[期刊论文] 作者：秘俊杰,艾秀青,陈新,高明皓,,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2016
LTE-A中的CoMP技术能够有效抑制小区间干扰。本文根据CoMP技术特点,分析了其应用场景和网络架构,提出了CoMP技术应用方案,并进行了测试验证。最后,探讨了CoMP技术应用存在的...
[会议论文] 作者：刘旸,陈新,秘俊杰,郝益刚,
来源：2011 TD-LTE 网络创新研讨会 年份：2011
文章介绍了TD-LTE频率规划方案，并在相同条件下对于三种频率规划方法进行系统仿真，通过仿真结果分析三种频率规划对于TD-LTE组网影响。...
[期刊论文] 作者：艾秀青,解伟,秘俊杰,郭建光,,
来源：电信技术 年份：2015
首先介绍GSM-Hi的试点背景;然后分析了试点情况,总结实验结点,实验方案及清频工作;在此基础上摘要对GSM-Hi试点的关键问题进行分析,包括终端、干扰、功率需求、厂商支持能力...
[期刊论文] 作者：艾秀青,解伟,秘俊杰,郭建光,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2015
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：艾秀青,秘俊杰,郭建光,温正阳,
来源：2014LTE网络创新研讨会 年份：2014
目前农村地区数据业务需求增长迅速,高速数据网络建设迫在眉睫.介绍了4种解决方案(LTE-Fi,GSM-Hi,WLAN,700M TD-LTE),并且从覆盖距离、速率、终端、容量和建设难度等方面进行...
[期刊论文] 作者：秘俊杰,王超,薛云山,刘旸,柳少良,
来源：电信工程技术与标准化 年份：2020
在5G网络工程建设过程中,传统基站同步系统可能存在天馈线过多和集中放置等问题.通过GPS/BDS智能放大分配系统方案,在传统基站同步系统上增加主从机分配单元,可实现GPS/BDS信...
[期刊论文] 作者：秘俊杰, 王超, 卢凤晖, 高頔, 艾秀青,,
来源：电信科学 年份：2018
介绍了蜂窝物联网的技术特点,通过理论分析结合现网测试验证,给出了相关规划建设建议。最后,对蜂窝物联网规划建设中的几个关键问题进行了研究,并提出了解决方案。...
[期刊论文] 作者：王巍,王玉青,申君君,唐政维,秘俊杰,,
来源：微电子学 年份：2009
研究了6H—SiC埋沟MOSFET器件的电容一电压特性，建立了解析模型。具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系，考虑了SiO2／SiC界面态及pn结对电容一电压特性的...
[期刊论文] 作者：王巍,秘俊杰,曾勇,王晓磊,唐政维,彭能,,
来源：微电子学 年份：2010
建立了基于漂移扩散理论的4H-SiC埋沟MOSFET器件的物理解析模型。SiC/SiO_2界面处的界面态密度及各种散射机制都会导致器件载流子迁移率的下降,采用平均迁移率模型,分析散射...
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