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[期刊论文] 作者：竺士扬,张苗,
来源：半导体学报 年份：1997
Ｈ＋离子注入Ｓｉ片并经一定条件退火，可在Ｓｉ片中形成埋层微空腔层，结合Ｓｉ片键合技术，用智能剥离技术成功地制备了材料，并用扩展电阻（ＳＲＰ０、卢瑟福背散射（ＲＢＳ／Ｃ）和剖在透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）等初步分析了其结构和......
[期刊论文] 作者：竺士扬等,曾庆城,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
本文用紫外光致荧光法无损检测孙同工艺参数制备ＳＩＭＯＸ材料正面和背面的铁杂质沾污程度，得出了这些样品铁杂质浓度的相对大小。...
[期刊论文] 作者：竺士扬,林成鲁,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1995
ＳＩＭＯＸ材料埋氧化经层的针孔密度是标定其质量的一个重要参数。本文用改进的二维ＩＲＩＳ程序模拟分析了当注放的硅片表面存在阻挡物时，注入后氧在硅片内的分布，提出也引起针孔的杂擀临界颗粒......
[期刊论文] 作者：高剑侠,严荣良,任迪远,竺士扬,李金华,林成鲁,
来源：微细加工技术 年份：1995
采用Ｉ－Ｖ测试技术，研究了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件的Ｉ－Ｖ亚阈特性与温度的关系。结果表明，随着温度的升高，Ｉ－Ｖ曲线的亚或斜率减小，且阈电压漂移增加。...
[期刊论文] 作者：高剑侠，严荣良，任迪远，林成鲁，李金华，竺士扬,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＥＦＦＥＣＴＯＦＴＯＴＡＬＩＲＲＡＤＩＡＴＩＯＮＤＯＳＥＯＮＭＯＳＦＥＴｓ／ＳＯＩＧａｏＪｉａｎｘｉａ（高剑侠）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远）（ＸｉｎｊｉａｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ｔｈｅＣｈｉｎｅ...EFFECTOFTOTALIRRADIATIONDOSEONMOSFETs / SOIGaoJianxia (high swordsman); YanRongliang (Yan Rongliang); RenDiyuan (Ren Diyuan)......
[期刊论文] 作者：高剑侠,严荣良,余学锋,张国强,任迪远,林成鲁,李金华,竺士扬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明，在辐照过程中，氧化物正电荷增加较多，界......
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