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[期刊论文] 作者：张爱琼,徐家跃,范世(马岂),
来源：化学研究 年份：2004
采用改进的坩埚下降法成功生长了硅酸铋Bi12SiO20(BSO) 单晶,探讨了工艺参数对晶体生长的影响. 用电子探针方法研究了硅酸铋晶体中的铂金包裹体及其相关缺陷. 铂金包裹物的尺...
[期刊论文] 作者：丁嘉瑄,武安华,周娟,徐家跃,范世(马豈),
来源：人工晶体学报 年份：2004
采用坩埚下降法生长了Nd3+掺杂浓度分别为15%、8%和2.5%原子分数的Sr3Ga2Ge4O14晶体,所得晶体最大尺寸为φ26mm×15mm.Nd3+掺杂Sr3Ga2Ge4O14晶体的特征吸收峰波长为806nm...
[期刊论文] 作者：徐家跃, 冯海威, 潘芸芳, 张彦, 范世(马岂),,
来源：硅酸盐学报 年份：2017
硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体是一种具有闪铋矿结构的氧化物闪烁材料,其衰减时间快于锗酸铋（BGO）晶体,光输出高于钨酸铅（PWO）晶体,被认为是双读出量能器最佳的候选材料之一。综述了...
[期刊论文] 作者：周明斌,李振荣,范世马岂,徐卓,熊志华,,
来源：中国照明电器 年份：2017
宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质...
[期刊论文] 作者：周明斌,李振荣,李静思,吴熙,范世马■,徐卓,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长,是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几...
[期刊论文] 作者：周明斌,李振荣,李静思,吴熙,范世马豈,徐卓,
来源：人工晶体学报 年份：2013
以高质量GaN单晶基片作为衬底实现GaN的同质外延生长，是获得GaN半导体器件优异性能的基础。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为国际范围制约GaN器件发展的瓶颈。在GaN体单晶的几种...
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