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[期刊论文] 作者：范焕章,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
本文描述一种测量介质膜生长过程中的应力的方法。测量结果表明:硅片在850～920℃热氧化时,二氧化硅膜中的压应力为3.4～2.1×10~9dyn/cm~2,应力随氧化温度的升高而降低。这...
[期刊论文] 作者：范焕章,
来源：税收征纳 年份：2005
去年10月23日在武汉召开的中国注册税务师协会第三届全国会员大会上，国家税务总局局长谢旭人作了题为“推动税务师行业发展，服务税收工作”的重要讲话。谢局长在讲话中高度评价......
[期刊论文] 作者：范焕章,
来源：税收征纳 年份：2008
当前我国注册税务师行业一个十分迫切和紧要的任务就是要以科学发展观为统领,加强行业自律管理,规范执业行为,从而保障行业健康有序发展。最近习近平同志在宁夏考察时指出:胡...
[会议论文] 作者：范焕章,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理分会第六届学术年会 年份：1992
...
[期刊论文] 作者：范焕章,
来源：财会月刊 年份：1992
今年以来,我国在浙江、新疆、辽宁和武汉、青岛、天津、重庆、大连、沈阳等九省市扩大实行分税制试点,即按照中央与地方的事权分工和调动两个积极性的原则,将各种税收收入划...
[期刊论文] 作者：范焕章,,
来源：财政研究 年份：1993
一、陈旧观念无法解释税收数十年来,我国各类教科书和出版物都“将税收的”三性“(即强制性、无偿性、固定性)作为税收的定义。如有异议,则视为离经叛道。First, the old...
[期刊论文] 作者：范焕章,,
来源：华东师范大学学报(自然科学版) 年份：1981
本文报导了用四氯化碳作为氯源的掺氯氧化方法。测量了 CCl_4氧化物的性质,并与干氧氧化物进行比较。实验结果表明,其氧化速率和腐蚀速率有所增加,界面有效电荷和界面态密度...
[期刊论文] 作者：范焕章,,
来源：地理教学 年份：2008
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[期刊论文] 作者：范焕章,,
来源：地理教学 年份：2008
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[期刊论文] 作者：范焕章,
来源：税务研究 年份：1995
对分税制后地方税法制建设的思考范焕章分税制的特征一是在财政体制上按照财权与事权相结合的原则，划分中央与地方的分配关系；二是在税收体制上划分中央税和地方税两大体系（含中......
[期刊论文] 作者：范焕章,杨心怀,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1995
本文用恒定电流应力加速寿命试验研究了栅氧层与时间有关的击穿及诱性电荷的产生规律。...
[期刊论文] 作者：杨斌,范焕章,
来源：税收征纳 年份：1997
4月29日,江岸地税分局隆重表彰了江岸地区先进纳税、申报、办税、协税和征税的“五个一批”先进单位和个人,从而将税收宣传月活动推向新的高潮。 这次活动通报表彰了武汉供电...
[期刊论文] 作者：范焕章,黎想,
来源：半导体技术 年份：2000
主要从光刻隔离，金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势。...
[会议论文] 作者：黎想,范焕章,
来源：第八届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1999
本文主要从栅氧化层、热载流子、金属化、静电放电四个方面来讨论亚微米器件的可靠性问题及发展动态。...
[期刊论文] 作者：范焕章,秦练才,,
来源：武汉财会 年份：1988
征收筵席税,是以特定的消费行为为课税对象,它是世界上绝大多数国家税制的重要组成部分。武汉市人民政府出于引导合理消费、反对铺张浪费,动员社会力量,筹集教育经费,促...
[期刊论文] 作者：许春芳,范焕章,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。...
[期刊论文] 作者：范焕章,王刚宁,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1999
该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品的直流电压与脉冲电......
[期刊论文] 作者：范焕章,王刚宁,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1998
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大，差别起因于脉冲低电平......
[期刊论文] 作者：许春芳,范焕章,
来源：华东师范大学学报：自然科学版 年份：1996
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相沉积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特性的影响。...
[期刊论文] 作者：范焕章,许春芳,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
一、引言MIS结构在半导体工艺控制和测量中已经得到广泛应用,尤其在半导体薄膜和界面研究方面更是不可缺少。要从C-V技术获得正确的结果,必须注意选择适当的测试条件,且必须...
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