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[学位论文] 作者：董增印,,
来源：河北工业大学 年份：2018
氮化镓被广泛应用于光电子和电力电子器件之中。由于氮化镓体单晶的研究进展落后于氮化镓器件的研究进展,商品化的氮化镓器件通常是在异质衬底上制备的。但是异质外延所导致...
[期刊论文] 作者：潘大力,杨瑞霞,张嵩,董增印,
来源：半导体技术 年份：2021
氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法.为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控...
[期刊论文] 作者：张嵩,程文涛,王健,程红娟,闫礼,孙科伟,董增印,
来源：半导体技术 年份：2022
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaxIn1-xP材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述，重点介绍了GaxIn1-xP材料的氢化物气相外延（HVPE）制备工艺对GaxIn1-xP外延层质量和GaxIn1-xP太阳电池性能的影响，并对国外研究中用于制备GaxIn1-xP材料的垂直和水平HVPE结构设计、外......
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