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[期刊论文] 作者：袁肇耿,魏毓峰,,
来源：半导体技术 年份：2008
针对国内市场对200mm Si外延产品需求持续增长，其中高阻厚层产品需求量最大的情况，研制开发了200mm高阻厚层Si外延片，解决了规模生产中工艺参数控制的稳定性、均匀性和一致性。...
[期刊论文] 作者：袁肇耿,赵丽霞,,
来源：半导体技术 年份：2009
掺As衬底外延片很大部分用于肖特基器件,器件对正向压降要求越来越高,因此对外延层参数之一的过渡区宽度提出了更高要求。讨论了影响过渡区的温度、生长速率、本征CAP层以及...
[期刊论文] 作者：赵丽霞,袁肇耿,张鹤鸣,,
来源：半导体技术 年份：2009
通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关...
[期刊论文] 作者：张志勤,袁肇耿,薛宏伟,,
来源：半导体技术 年份：2017
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%...
[期刊论文] 作者：谷鹏, 张绪刚, 袁肇耿,
来源：电子技术 年份：2020
分析表明,单晶硅晶圆抛光片外延生长过程会产生多种缺陷,包括亮点、划痕、滑移线、橘皮、条纹、线状缺陷、雾等,有些可以通过强光灯下人眼识别。要想无遗漏的检测所有缺陷并标记缺陷位置,需要借助颗粒测试仪。硅片表面颗粒测试常用科天的Tencor系列和SP系列,通......
[期刊论文] 作者：高淑红,袁肇耿,赵丽霞,,
来源：微纳电子技术 年份：2012
重掺磷衬底上硅外延片是制作集成电路开关电源的肖特基二极管和场控高频电力电子器件的首选产品。重掺磷衬底外延片可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例。介绍...
[期刊论文] 作者：安静,杨瑞霞,袁肇耿,张志勤,,
来源：半导体技术 年份：2011
Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能。简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表...
[期刊论文] 作者：薛宏伟,袁肇耿,吴会旺,杨龙,
来源：微纳电子技术 年份：2021
采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸= 2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H2比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率...
[期刊论文] 作者：吴会旺, 杨龙, 薛宏伟, 袁肇耿,
来源：微纳电子技术 年份：2022
采用化学气相沉积法进行6英寸（1英寸=2.54 cm）厚层4H-SiC同质外延片的快速生长，通过对工艺中预刻蚀、碳硅比（C/Si）和温度等关键参数优化，有效降低了厚层外延片表面缺陷密度。同时，采用傅里叶变换红外法、汞探针电容电压法和表面缺陷测试仪对厚层4H-SiC同质外延片各项参......
[期刊论文] 作者：吴会旺,刘建军,米姣,薛宏伟,袁肇耿,
来源：半导体技术 年份：2021
随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片.相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实......
[期刊论文] 作者：张志勤,吴会旺,袁肇耿,赵丽霞,,
来源：半导体技术 年份：2017
1 200 V快恢复二极管(FRD)器件用200 mm外延片由于直径较大、外延层较厚(约130μm)以及电阻率较高(约60Ω·cm),外延层滑移线、电阻率不均匀性和缓冲层过渡区不易控制。通过...
[会议论文] 作者：赵丽霞;袁肇耿;王艳祥;候志义;,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
快恢复二极管是一类很重要的开关器件，目前已在各种电子设备特别是开关电源中广泛应用。随着开关器件的不断进步，工作频率的不断提高，对相关功率二极管性能的要求也越来越高......
[期刊论文] 作者：米姣,张涵琪,薛宏伟,袁肇耿,吴会旺,
来源：半导体技术 年份：2021
硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO2层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响.对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层......
[会议论文] 作者：Yuan Zhaogeng,Zhang Hua,Zhao Lixia,袁肇耿,张华,赵丽霞,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法...
[会议论文] 作者：Yuan Zhaogeng,袁肇耿,Zhang Hua,张华,Zhao Lixia,赵丽霞,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
200 mm图形片外延工艺随着国内8英寸(1英寸=25.4 mm)生产线的发展而逐渐成熟起来.是硅外延发展的趋势之一.本文讨论通过气流设计、控制图形漂移和畸变、控制自掺杂的方法...
[会议论文] 作者：赵丽霞,高国智,陈秉克,袁肇耿,张鹤鸣,
来源：2010年全国半导体器件技术研讨会 年份：2010
SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件的截止频率(ft)、最大振荡频率(fMAX)等都精确地依赖于基区中Ge的分布剖面及基区掺杂的分布。综合分析了基区内Ge及掺杂分布对器件特性的影响,...
[期刊论文] 作者：高淑红,赵丽霞,袁肇耿,侯志义,王艳祥,,
来源：半导体技术 年份：2012
硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均...
[期刊论文] 作者：袁肇耿,刘永超,张未涛,高国智,赵叶军,
来源：半导体技术 年份：2022
重点探究了直径200 mm超厚层硅片滑移线的影响因素以及控制方法.使用平板硅外延炉加工超厚层外延片,并使用颗粒测试仪SP1和光学干涉显微镜表征滑移线.从热应力是滑移线的主要成因出发,通过对衬底和基座背面凹槽的设计以及升温曲线的控制这三个方面改善了滑移线.......
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