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[期刊论文] 作者：谢世键,
来源：电子器件 年份：1981
在CMOS逻辑门电路单级结构的设计中,要保证有一定的(?)速度,随着负载能力的增加,就要增大器件的宽长比,这导致(?)入电容的增加,因而就使扇出能力的增加受到限制,因此,近来的...
[期刊论文] 作者：蔡世俊,谢世键,赵文霞,童勤义,董克元,
来源：电子器件 年份：1981
对半导体表面的研究不泛其人,除了表面场效应是应是MOS器件的理论基础之外,另一主要原因是因为表面场效应能够对平面器件的PN结及晶体管的特性产生巨大的影响。自从Grove在1...
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