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[期刊论文] 作者：刘焜,谢宗钧,黄乐斌,
来源：半导体学报 年份：1985
本文用计算机解差分方程组的方法求解脉冲激光诱导扩散过程中的热导方程和杂质扩散方程,求得在硅片中不同深度层的温度分布、各层温度随时间的变化以及杂质扩散分布.要想得到...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,谢宗钧,孙月珍,,
来源：南京大学学报(自然科学版) 年份：1963
在制备锗点接型晶体二极管时,锗片先以稳态过氧化氢作化学腐蚀,然后用20%KOH 电解液进行电解,则电学特性和稳定性有所改进。如果在过氧化氢化学腐蚀后再以 AgNO_3加 KNO_3电...
[期刊论文] 作者：谢宗钧,李和炳,阎增新,
来源：物理 年份：2004
在半导体器件中,由于硅表面SiO2薄膜中钠的沾污,严重地影响着器件的稳定性、可靠性及成品率.对于MOS器件,这一影响就更为突出,因此深为人们关注.究竟如何有效地除去氧化膜中...
[期刊论文] 作者：林鸿溢,谢宗钧,黄乐斌,,
来源：贵金属 年份：1981
Mott曾利用Mos结构对无序系统进行了研究,后来先后有作者对a-Si进行场效应研究,其测量量是表面电导,所用样品的结构比较复杂,对工艺要求也比较苛刻.本文作者根据a-Si在外电...
[期刊论文] 作者：冶宏振,谢宗钧,黄乐斌,游俊富,
来源：仪器仪表学报 年份：1984
用离子微探针测量Si 中注入B、As 杂质的浓度分布,发现测量误差很严重,原因在于质量干扰和J.C.C.Tsai 转换公式[1]有误。通用的离子探针不能将要测的二次离子和质量干扰离子分开,但根据本文提出的“实测二次离子计数分布模式”可将两者的离子计数分开。为了消除......
[期刊论文] 作者：谢宗钧,黄乐斌,刘世祥,姚德成,石万全,
来源：半导体学报 年份：2004
叙述了一种在硅表面涂敷受主或施主杂质后用染料激光脉冲辐照制得掺杂簿层的技术.对掺杂薄层的物理特性进行了分析,探讨了掺杂过程的机构.A technique of coating the acce...
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