搜索筛选:
搜索耗时0.0878秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 20 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：半导体技术 年份：1997
简述了ＵＬＳＩ工艺所用气体种类，着重介绍了常用关键的几种气体和ＵＬＳＩ对气体杂质含量及颗粒度的要求，同时给出了国内和日本平衡气体的技术指标。介绍了半导体工艺用气体的制造技术和正确测......
[期刊论文] 作者：谢永桂,,
来源：电子元器件应用 年份：2003
以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为全，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：电子元器件应用 年份：2003
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：电子元器件应用 年份：2001
本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P－HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与支撑地位，并对未来的发展趋势做一简单介绍。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：电子元器件应用 年份：2002
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,,
来源：电子元器件应用 年份：2002
以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：电子元器件应用 年份：2002
以高电子迁移率晶体管，异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点，封装，测试及其应用。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,,
来源：电子元器件应用 年份：2002
以高电子迁移率晶体率、异质结双极晶体管和微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：世界产品与技术 年份：2002
...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：半导体技术 年份：1999
从技术、管理等方面入手，讨论了影响器件成品率的诸因素及提高成品率的对策。介绍了一种有效、相容 的吸杂工艺；从工艺优化设计角度讨论了提高成品率的各种途径。...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：半导体技术 年份：1997
简述了ＵＬＳＩ工艺所用气体种类，着重介绍了常用着急的几种气体和ＵＬＳＩ对气体杂质含量及颗粒度的要求，同时给出了国内和日本平衡气体的技术指标。介绍了半导体工艺用气体的制造技术和正确测......
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：延河集成电路 年份：1989
...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：农牧情报研究 年份：1989
...
[期刊论文] 作者：谢永桂,
来源：半导体技术 年份：2004
利用硅和二氧化硅对水的吸附能力不同,可以方便地检查出几十埃厚的极薄氧化层。 大家知道100埃以上的氧化层都是有颜色的,很易检查。厚度小于100埃就看不出颜色了,易引出错...
[期刊论文] 作者：谢永桂,,
来源：电子元器件应用 年份：2002
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。Taking high electron mobility transistors, het...
[期刊论文] 作者：谢永桂,,
来源：电子元器件应用 年份：2003
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波/毫米波集成电路为例,介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。Taking high electron mobility transistors, het...
[会议论文] 作者：谢永桂,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文对采用新方法试制的IG-PHEMT的DC和RF特性进行了评价,并介绍了器件的简单制造工艺....
[会议论文] 作者：谢永桂,-,
来源：2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会 年份：2001
本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P-HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与支撑地位,并对未来的发展趋势做一简单介绍....
[期刊论文] 作者：李永聚,谢永桂,
来源：非金属矿 年份：1996
本文简介了利用人工合成云母碎片制造合成云母纸的试验，论证了使用长网纸机及采用低压水力破碎制浆工艺抄造的合成云母纸，用于制作耐高温云母薄膜、耐高温合成云母板和其他制品......
[期刊论文] 作者：朱长纯,钱伟,谢永桂,
来源：西安交通大学学报 年份：1993
在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上,对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算,得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及...
相关搜索：
