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[期刊论文] 作者：陈建国,陈颖,赵德益,,
来源：矿业安全与环保 年份：2012
南桐干坝子洗选厂在全重介生产工艺改造中应用三菱新型Q系列PLC作为控制核心,实现了全自动化控制生产工艺,该系统投入生产后,运行稳定、可靠,并且维护方便,取得了良好的经济...
[期刊论文] 作者：赵德益,吴龙胜,于洪波,刘佑宝,,
来源：科学技术与工程 年份：2009
基于0.35μmSOI工艺平台,进行PDSOI CMOS标准单元建库技术研究。讨论选用H型栅和源漏非对称结构CMOS建立PDSOI标准单元的优点,根据0.35μm SOI CMOS工艺设计规则进行标准单元...
[期刊论文] 作者：唐威,刘佑宝,吴龙胜,赵德益,卢红利,,
来源：吉林大学学报(信息科学版) 年份：2010
为提高空间环境下电子设备的可靠性,提升抗辐射加固SOI（Silicon on Insulator）集成电路的设计效率,通过构建完整的建库流程,自主设计开发了基于3.3V-0.35μm-PD（Partly）SOI CMOS（C...
[期刊论文] 作者：苏海伟, 赵德益, 吕海凤, 王允, 赵志方,,
来源：集成电路应用 年份：2019
手机等电子设备的电池模块VBAT&VBUS端由于工作电压多样和应用环境的电应力强,需要其保护器件TVS提供适应4.5/7/12/15/18/24/26V电源电压。并且在配合OVP的保护方案时,不仅要...
[期刊论文] 作者：王忠芳,谢成民,赵德益,吴龙胜,刘佑宝,,
来源：武汉大学学报(工学版) 年份：2011
随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护...
[期刊论文] 作者：晁长征,吴龙胜,刘佑宝,唐威,赵德益,苏强,,
来源：微电子学与计算机 年份：2009
时序信息是标准单元特征化参数的重要组成部分.针对全定制标准单元的版图,在进行LVS验证之后,采用寄生参数提取工具对其进行晶体管级的寄生参数提取,得到单元内部的详细寄生...
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