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[期刊论文] 作者：车静光,
来源：复旦学报：自然科学版 年份：1999
用局域密度泛函理论研究了电场对表面结构的影响。计算采用了从头计算赝势和平面波加局轨道混合基的第一性原理方法，并用在真空层中插入平行所研究表面均匀电荷层的方法来模拟......
[期刊论文] 作者：车静光,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1994
用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微......
[期刊论文] 作者：车静光,
来源：复旦学报(自然科学版) 年份：1994
用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化·能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即已形成，并随Ｓｉ覆盖层厚度而增加，至约５、６层......
[期刊论文] 作者：车静光,Mazur,A,
来源：复旦学报：自然科学版 年份：1994
用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在......
[期刊论文] 作者：车静光,Mazur,A,
来源：复旦学报：自然科学版 年份：1994
用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化，能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即已形成，并随Ｓｉ覆盖层厚度而增加，至约５、６层后趋于......
[会议论文] 作者：赵新新,车静光,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
从传统微电子学转向自旋电子学器件,一个重要的途径是将氧化物集成到Si村底上,其关键是获得高质量的氧化物/硅界面.然而,由于O与Si只需哪怕最少的接触既可生成SiO2,获取高质量的氧化物/硅界面始终是一个极具挑战的任务.实验发现,在Si(001)衬底上,预生长1.08ML的......
[期刊论文] 作者：黄丹耘,车静光,张开明,
来源：物理学报 年份：1999
用第一性原理总能计算方法，计算了 Ｍｏ 和 Ｗ 表面吸附金属 Ｒｈ 薄膜前后［１１１］ ，［１１０］方向的表面能．计算结果表明，清洁 Ｍｏ 和 Ｗ 的（１１１） 面不会发生｛１１０｝ 小面再构，与实验观察一致．当 Ｒｈ 的覆盖厚度达到一物理单......
[期刊论文] 作者：车静光,张开明,谢希德,
来源：半导体学报 年份：1986
本文用集团模型和电荷自洽的推广的休克尔方法,对 Ag在Si(111)面上覆盖度较高的情况作了研究.得到了 Ag集团在 Si(111)面上稳定的吸附构型和与一些UPS实验结果符合得较好的电...
[期刊论文] 作者：车静光,张开明,谢希德,
来源：半导体学报 年份：1984
本文利用集团模型和电荷自治的休克尔方法研究Cu,Ag,Au在Si(111)和Ge(111)面上可能的吸附位置和电子态,得到这些重金属原子只能吸附在三度开位上,并进入表面以下的结果,与实...
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