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[会议论文] 作者：邓俊静[1]齐胜利[1]陈志忠[1]田朋飞[1]郝茂盛[2]张国义[1],
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详...
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