【摘 要】
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采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详
【机 构】
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人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学,北京 100871
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现：经O2等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,这说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用；另外,样品经O2等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl2等离子体得到有效的去除。
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