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[期刊论文] 作者：刘青明, 尚林, 邢茹萍, 侯艳艳, 张帅, 黄佳瑶, 马淑,
来源：中国材料进展 年份：2020
自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基...
[期刊论文] 作者：邢茹萍,马淑芳,单恒升,刘青明,侯艳艳,黄佳瑶,许并社,
来源：中国材料进展 年份：2021
垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低损耗、光束质量好、光纤耦合效率高、调制速率高且易于与其他光电子器件集成等优势,在光互连、光存储、高速传输和通讯等领域得到了迅猛发展...
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