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[期刊论文] 作者：郑著宏,,
来源：发光快报 年份：1986
光子计数是一种检测弱光信号的测量手段,它是七十年代发展起来的光谱检测新技术。使用连续光源和脉冲激光激发 ZeSe 晶体,用光子计数器检测光信号。发现用脉冲激光激发时造...
[期刊论文] 作者：郑金桔,郑著宏,
来源：发光学报 年份：2010
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度（I）变化3个数量级的时候,量子点发光的峰位、峰形都没有发生明显的变化。通过公式...
[期刊论文] 作者：郑金桔,郑著宏,,
来源：发光学报 年份：2010
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度(I)变化3个数量级的时候,量子点发光的峰位、峰形都没有发生明显的变化。通过公...
[期刊论文] 作者：郑著宏,K. Okamoto,
来源：中国科学 年份：2004
利用不同温度下的光致发光和时间分辨光谱研究了生长在GaAs(110)衬底上的CdSe-ZnSe自组织量子点的发光特性,发现浸润层量子阱的激子发光淬灭比量子点的淬灭过程快得多,量子点...
[期刊论文] 作者：郑著宏,张吉英,
来源：光电子．激光 年份：1996
利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件。在这种自由光效应器中，在反向偏置电压下了由量子限制斯塔克效引起的电光调制。......
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：发光学报 年份：1997
ｎ＝１重空穴激子和施主－受主对的光致发光在常压ＭＯＣＶＤ生长的Ｚｈ０．８５ ＣＤ０．１５Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变超晶格中被观测到了。激子和施主－受主对发光峰值位置随着增加正向领导置电压都相继产生蓝移和红移。这是由量子限制斯塔......
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：发光学报 年份：1994
在室温，随着增加入射光强，我们首次在ＺｎＳｅ／ＺｎＳ平板被导中观测到由于“带填充”效应而引起的全光调制和由于施加电场而引起的电光调制特性．...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：光谱学与光谱分析 年份：1998
本文报道利用光波导方法在ＧａＡｓ衬底上制备的Ⅱ－Ⅵ族半导体单晶薄膜和超晶格中所观测到的光学吸收，光学非线性和瞬态光学双稳的实验结果。...
[期刊论文] 作者：郑著宏,范希武,
来源：发光学报 年份：1989
在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：发光学报 年份：1997
本文用ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡＳ衬底上成功地制备了具有波导结构的Ｚｎ０．８Ｃｄ０．２Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变层超晶格样品，在７７Ｋ温度的发致发光光光谱中观测ｎ＝１的重空穴和轻空穴激子的辐射复合。......
[期刊论文] 作者：陈连春,郑著宏,
来源：发光快报 年份：1995
我们用单极性脉冲电压激发ＺｎＳ－Ｍｎ，Ｃｕ粉未发光器件并测量了光电特性。研究了不同形成电压下脉冲电流同脉冲电压的关系；过电压激发下积分亮度的变化；积分亮度同激发脉冲的频率和占空比的关......
[期刊论文] 作者：郑著宏,范希武,
来源：发光学报 年份：1991
本文主要研究在77—111K温度范围内、不同激发密度的N_2激光器的337.1nm谱线激发下,激子—激子(E_x—E_x)、激子-载流子(E_x—e)的相互作用和发射一个LO声子(Ex—1LO)、两个L...
[期刊论文] 作者：郑著宏,K.Okamoto,H.C.Ko,Y.Kawakami,Sg.Fujita,
来源：中国科学(A辑) 年份：2000
利用不同温度下的光致发光和时间分辨光谱研究了生长在GaAs( 1 1 0 )衬底上的CdSe ZnSe自组织量子点的发光特性 ,发现浸润层量子阱的激子发光淬灭比量子点的淬灭过程快得多 ,量子点的激子辐射复合寿命远大于浸润层量子阱的激子复合寿命 .根据不同尺寸的量子点复......
[期刊论文] 作者：刘钟馨,宋宏伟,郑著宏,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
采用800nm的飞秒（10^15s，fs，下同）激光对湿化学法制备的金纳米球壳水溶胶进行辐照，研究辐照后金纳米球壳的形貌变化。结果表明，原来直径为20～50nm的准球壳形纳米金粒子辐照后变为管......
[会议论文] 作者：郑著宏,汪河洲,申德振,
来源：第八届全国发光学术会议 年份：1998
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[会议论文] 作者：郑著宏,吕有明,申德振,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
我们采用S-K生长模式,在GaAs(110)衬底上生长了ZnCdSe-ZnSe量子点结构(QDS)材料,并研究了这种结构的发光特性.在低温,观测到6个发射带,它们分别被归结为来自1、2个单原子层(M...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,范希武,
来源：光谱学与光谱分析 年份：1998
本文报道利用光波导方法在ＧａＡｓ衬底上制备的Ⅱ—Ⅵ族半导体单晶薄膜和超晶格中所观测到的光学吸收、光学非线性和瞬态光学双稳的实验结果。The experimental results of optica...
[期刊论文] 作者：金华,刘舒,张立功,郑著宏,申德振,,
来源：半导体学报 年份：2008
用飞秒脉冲泵浦-探测技术通过时间分辨差分透射谱和透射衰减曲线研究了ZnSe0.2Te0.8/ZnTeII型多量子阱结构中热载流子的产生、弛豫及复合过程.观察到阱层和垒层中热载流子的...
[期刊论文] 作者：郑泽伟,范希武,郑著宏,张吉英,
来源：光电子．激光 年份：1998
本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射性质，通过改变激光发光强度，并在不同的方向接收样品的光发射，将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论，认为该材料的受激发射过程就是ｎ＝１重空穴激子......
[期刊论文] 作者：郑泽伟,范希武,郑著宏,杨宝均,
来源：半导体光电 年份：1999
通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究，讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源，而由流体力学性质决定的涨落，在组分张落中起着非常......
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