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本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射性质，通过改变激光发光强度，并在不同的方向接收样品的光发射，将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论，认为该材料的受激发射过程就是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程。
高激发密度下ZnCdTe—ZnTe多量子阱的受激发射性质
【摘 要】
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本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射性质，通过改变激光发光强度，并在不同的方向接收样品的光发射，将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论，认为该材料的受激发射过程就是ｎ＝１重空穴激子
【机 构】
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南京空军气象学院物理教研室,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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