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[期刊论文] 作者:柏毅,陈航洋, 来源:科教导刊 年份:2021
科学能力是科学素养的核心,是公民终身学习的必要条件.“坚持能力为重”是当前基础教育的重要指导思想.纸笔测试和计算机测试结合问卷调查比较分析来得出学生科学素养是PISA...
[会议论文] 作者:蔡端俊, 陈小红, 林娜, 徐富春, 陈航洋,, 来源: 年份:2004
Quantum well has been one of the most important candidates constructing the active layer for optoelectronic devices,which can strongly confine the carriers...
[会议论文] 作者:蔡端俊,陈小红,林娜,徐富春,陈航洋, 来源:第十二届全国MOCVD学术会议 年份:2012
[期刊论文] 作者:王元樟,林伟,李书平,陈航洋,康俊勇,张小英,, 来源:厦门理工学院学报 年份:2011
采用MOCVD外延生长11周期InN/GaN量子阱结构样品,原子力显微镜表面形貌结果显示实现了台阶流动生长模式.通过高分辨率X射线衍射与掠入射X射线反射谱技术获得了阱层与垒层的实...
[期刊论文] 作者:王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,, 来源:厦门理工学院学报 年份:2010
采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN/GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征,将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度...
[会议论文] 作者:康俊勇;李书平;杨伟煌;李金钗;陈航洋;刘达艺;, 来源:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份:2008
本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度...
[会议论文] 作者:王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇, 来源:第十七届全国半导体物理学术会议 年份:2009
CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1...
[期刊论文] 作者:王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,, 来源:半导体学报 年份:2011
The grazing incidence X-ray reflectivity(GIXR) technique and atomic force microscopy(AFM) were exploited to obtain an accurate evaluation of the surfaces and in...
[期刊论文] 作者:李金钗,季桂林,杨伟煌,金鹏,陈航洋,林伟,李书平,康俊勇,, 来源:发光学报 年份:2016
紫外LED的发光功率和效率还远不能令人们满意,波长短于300 nm的深紫外LED的发光效率普遍较低。厘清高Al组分Al Ga N多量子阱结构的发光机制将有利于探索改善深紫外LED的发光...
[期刊论文] 作者:张彬彬, 李书平, 李金钗, 蔡端俊, 陈航洋, 刘达艺, 康俊, 来源:厦门大学学报(自然科学版 年份:2012
[期刊论文] 作者:张彬彬,李书平,李金钗,蔡端俊,陈航洋,刘达艺,康俊勇,, 来源:厦门大学学报(自然科学版) 年份:2012
采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热......
[期刊论文] 作者:陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操, 来源:物理学进展 年份:2013
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2eV,可覆盖短至210nm的深......
[期刊论文] 作者:陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,蔡, 来源:物理学进展 年份:2013
[会议论文] 作者:高娜,郑同场,杨伟煌,林伟,李金钗,陈航洋,刘达艺,李书平,康俊勇, 来源:中国物理学会2013年秋季学术会议 年份:2013
  高Al组分AlGaN氮化物结构材料能隙宽至6.2 eV,可覆盖至210 nm的深紫外波长范围,具有波长易调控、耐高温、调制频率高、噪声低等诸多独特的优点,是制备短波长半导体发光和...
[会议论文] 作者:李孔翌,杨伟煌,李金钗,李书平,蔡端俊,陈航洋,刘达艺,康俊勇, 来源:第十八届全国半导体物理学术会议 年份:2011
  在本文中,主要探讨在结构材料中引入AlGaN:In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN: In插入层可提升表面与界面的平整度,提高其上外延层的晶体质量、组分均一性......
[会议论文] 作者:杨伟煌,康俊勇,李金钗,黄柏凯,卢廷昌,郭浩中,李书平,杨旭,陈航洋,刘达艺, 来源:中国真空学会2012学术交流会 年份:2012
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加困难,AlGaN基紫外LED的效率急剧下降。如何......
[会议论文] 作者:杨伟煌[1]康俊勇[1]李金钗[1]黄柏凯[2]卢廷昌[2]郭浩中[2]李书平[1]杨旭[1]陈航洋[1]刘达艺[1], 来源:中国真空学会2012学术交流会 年份:2012
  近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al...
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