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[学位论文] 作者：韩应宽,,
来源：河北工业大学 年份：2017
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[期刊论文] 作者：韩应宽,
来源：甘肃教育 年份：2003
21世纪是以知识的创新和应用为重要特征的知识经济时代．社会信息化、经济全球化使创新精神与实践能力成为影响整个劳动者素质的重要因素。劳动者素质的提高和创造性人才的需求......
[学位论文] 作者：韩应宽,
来源：山东大学 年份：2020
表面增强拉曼光谱（SERS）是一种快速、高灵敏、具有指纹识别特性的分析技术,其高度依赖于基底的材料性能和表面形貌,是与纳米科技联系最密切的应用之一,具有广阔的发展和应用前景。经过四十多年的发展,SERS已经被广泛应用到化学、生物医药、食品安全等领域,但是SER......
[期刊论文] 作者：宋之刚,吕博,韩应宽,,
来源：甘肃教育学院学报(自然科学版) 年份：1993
无机化学实验的结果现象,是受各种条件因素制约的,尽管实验中反应物为同一化合物,然由于条件因素的改变,现象结果往往不同,这在实验教学中是司空见惯,举不胜举的,包罗万象的...
[期刊论文] 作者：马浩, 杨瑞霞, 李春静, 韩应宽,,
来源：材料导报 年份：2018
利用高温硫化法制备了高纯度MoS2纳米片。采用X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（Raman spectrometer）、扫描电镜（SEM）和能谱仪（EDS）对MoS2纳米片的物相、结晶质量以及形貌进行了表征,分......
[期刊论文] 作者：夏梦僧,杨瑞霞,李春静,韩应宽,马浩,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
阻变存储器(RRAM)是下一代最有潜力的非易失性存储器。利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VO_x/Al结构的RRAM。使用半导体参数分析仪(Agilent B1500A)测...
[期刊论文] 作者：杨瑞霞,韩应宽,孙聂枫,王书杰,王阳,李晓岚,孙同年,,
来源：半导体技术 年份：2016
InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量...
[期刊论文] 作者：韩应宽,杨瑞霞,孙聂枫,王书杰,王阳,李晓岚,孙同年,,
来源：半导体技术 年份：2016
通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片。用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、...
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