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[会议论文] 作者：高涛;谭卫东;马利行;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本论文针对电子元器件生产厂商的需求,研制开发P型重掺衬底高阻厚层硅外延片,解决了批生产工艺中参数控制的稳定性、均匀性和可重复性.本文讨论了影响硅外延片外延层电阻率稳...
[会议论文] 作者：高涛,谭卫东,马利行,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ωcm，厚度大于60μm。该工艺技术已经应用到硅外延片生产中，结果表明：外延片能够满足先进器件制作的需要。......
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