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本论文针对电子元器件生产厂商的需求,研制开发P型重掺衬底高阻厚层硅外延片,解决了批生产工艺中参数控制的稳定性、均匀性和可重复性.本文讨论了影响硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,通过采用常压外延、背面封闭等技术,充分抑制高温状态下重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得高阻厚层外延片外延层电阻率得到较好的控制.本文的研究结果已成功地应用到4、5英寸P/P+高阻厚层硅外延片的生产中.