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[期刊论文] 作者：A.Usui,武一宾,,
来源：半导体情报 年份：1982
通过双生长室工艺研究了与GaAs晶格匹配的InGaP和GaAsP的氢化物VPE。论证了InGaP/GaAs超晶格结构生长的突变而很平坦的界面。用已成熟的氧引入技术的抑制附加壁淀积可精确地...
[期刊论文] 作者：A．Usui,单连芳,刘季花,
来源：海洋地质动态 年份：1994
本文所研究的样品由《Hakurei—maru》号科学考察船进行的GH80—1和GH83—3两个航次所采集．这两次航行的目的是作为日本“中太平洋锰结核调查”五年计划(1979—1983)任务的一...
[期刊论文] 作者：Y.Kawasumi,A.Usui,Y.Sato,N.Daigaku,Y.Hosokai,李梦迪,,
来源：国际医学放射学杂志 年份：2016
摘要目的通过评价海水及淡水溺亡者鼻窦内液体体积及密度的不同鉴别海水溺亡与淡水溺亡。方法对93例溺亡病例(22例海水和71例淡水)进行回顾性研究。所有死者均进行死后CT扫描...
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