搜索筛选:
搜索耗时0.0943秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：E、G、Spencer,张慕义,,
来源：半导体情报 年份：1975
采用离子腐蚀在硅片上制作5～10微米厚、约1厘米直径的薄窗口。这个方法允许所用离子源的变化范围很宽,并在直径为1厘米的面积上提供每小时20微米的腐蚀速度。窗口的表面是平坦...
相关搜索：
